MUN5235DW1T1G Альтернативные части: MUN5211DW1T1G

MUN5235DW1T1GON Semiconductor

В наличии: 6692

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
5.832418 ₽
5.77 ₽
10
5.502280 ₽
55.08 ₽
100
5.190824 ₽
519.09 ₽
500
4.897005 ₽
2,448.49 ₽
1000
4.619821 ₽
4,619.78 ₽

Цена за единицу: 5.832418 ₽

Итоговая цена: 5.77 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иMUN5235DW1T1G	иMUN5211DW1T1G
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363	TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя	8 Weeks	8 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Поверхностный монтаж	YES	YES
Количество контактов	6	6
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V
Количество элементов	2	2
Минимальная частота работы в герцах	80	35
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)
Опубликовано	2003	2005
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный	50V	50V
Максимальная потеря мощности	250mW	250mW
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Моментальный ток	100mA	100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Основной номер части	MUN52**DW1T	MUN52**DW1T
Число контактов	6	6
Максимальный выходной ток	100mA	100mA
Входной напряжение питания	50V	50V
Направленность	NPN	NPN
Конфигурация элемента	Dual	Dual
Распад мощности	187mW	187mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Тип транзистора	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	50V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	80 @ 5mA 10V	35 @ 5mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	250mV @ 300μA, 10mA	250mV @ 300μA, 10mA
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V
База (R1)	2.2k Ω	10k Ω
Прямоходящий ток коллектора	100mA	100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)	47k Ω	10k Ω
Высота	1mm	900μm
Длина	2.2mm	2mm
Ширина	1.35mm	1.25mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Дополнительная Характеристика	-	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Без галогенов	-	Halogen Free

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
MUN5213DW1T1G	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363	Для сравнения
MUN5211DW1T1G	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363	Для сравнения
MUN5314DW1T1G	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363	Для сравнения