Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
MUN5211DW1T1G Альтернативные части: MUN5330DW1T1G
MUN5211DW1T1GON Semiconductor
В наличии: 62917
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
6.415659 ₽
6.46 ₽
10
6.052514 ₽
60.58 ₽
100
5.709918 ₽
571.02 ₽
500
5.386717 ₽
2,693.41 ₽
1000
5.081799 ₽
5,081.87 ₽
Цена за единицу: 6.415659 ₽
Итоговая цена: 6.46 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Срок поставки от производителя | 8 Weeks | 8 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Поверхностный монтаж | YES | YES |
Количество контактов | 6 | 6 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 35 | 3 |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2005 | 2006 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | 50V |
Максимальная потеря мощности | 250mW | 250mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | 100mA | 100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Основной номер части | MUN52**DW1T | MUN53**DW1 |
Число контактов | 6 | 6 |
Максимальный выходной ток | 100mA | 100mA |
Входной напряжение питания | 50V | 50V |
Направленность | NPN | NPN, PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Распад мощности | 187mW | 187mW |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Без галогенов | Halogen Free | - |
Тип транзистора | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 35 @ 5mA 10V | 3 @ 5mA 10V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA | 250mV @ 5mA, 10mA |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
База (R1) | 10k Ω | 1k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 10k Ω | 1k Ω |
Высота | 900μm | 1mm |
Длина | 2mm | 2.2mm |
Ширина | 1.25mm | 1.35mm |
REACH SVHC | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) |
Максимальная частота | - | 10kHz |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | - | 50V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - | 6V |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MUN5330DW1T1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 | Для сравнения |
 | MUN5311DW1T1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 | Для сравнения |
| MUN5314DW1T1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 | Для сравнения |