Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
MUN5135DW1T1G Альтернативные части: MUN5114DW1T1G
MUN5135DW1T1GON Semiconductor
В наличии: 1400
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
3.303022 ₽
3.30 ₽
10
3.116058 ₽
31.18 ₽
100
2.939684 ₽
293.96 ₽
500
2.773283 ₽
1,386.68 ₽
1000
2.616305 ₽
2,616.35 ₽
Цена за единицу: 3.303022 ₽
Итоговая цена: 3.30 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/2.2KOHM, SOT363 - More Details | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Срок поставки от производителя | 8 Weeks | 8 Weeks |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Поверхностный монтаж | YES | YES |
Количество контактов | 6 | 6 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 80 | 80 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2007 | 2005 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.047 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.21 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -50V | -50V |
Максимальная потеря мощности | 250mW | 250mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | -100mA | -100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Основной номер части | MUN51**DW1T | MUN51**DW1T |
Число контактов | 6 | 6 |
Направленность | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Распад мощности | 250mW | 250mW |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Без галогенов | Halogen Free | Halogen Free |
Тип транзистора | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V | 80 @ 5mA 10V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA | 250mV @ 300μA, 10mA |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
База (R1) | 2.2k Ω | 10k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | -100mA | -100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 47k Ω | 47k Ω |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Tin |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MUN5134DW1T1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 | Для сравнения |
| MUN5114DW1T1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 | Для сравнения |
| MUN5133DW1T1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 | Для сравнения |