MSB710-RT1G Альтернативные части: DTA143EUAT106 ,DTA114EUAT106

MSB710-RT1GON Semiconductor

  • MSB710-RT1GON Semiconductor
  • DTA143EUAT106ROHM Semiconductor
  • DTA114EUAT106ROHM Semiconductor

В наличии: 3000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PNP 50V 0.5A SC-59
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
-
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
Количество контактов
3
3
3
Материал элемента транзистора
SILICON
-
-
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
120
30
30
Рабочая температура
150°C TJ
-
-
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2008
2009
Код JESD-609
e3
e1
-
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Obsolete
Not For New Designs
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-50V
-50V
-50V
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Моментальный ток
-500mA
-100mA
-50mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
10
10
Число контактов
3
3
3
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
200mW
200mW
200mW
Применение транзистора
AMPLIFIER
SWITCHING
SWITCHING
Полярность/Тип канала
PNP
-
-
Тип транзистора
PNP
PNP - Pre-Biased
PNP - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
600mV
300mV
300mV
Максимальный ток сбора
500mA
100mA
50mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
120 @ 150mA 10V
30 @ 10mA 5V
30 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
500nA
500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
600mV @ 30mA, 300mA
300mV @ 500μA, 10mA
300mV @ 500μA, 10mA
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-50V
-
-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7V
-
-
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Срок поставки от производителя
-
10 Weeks
10 Weeks
Максимальная рабочая температура
-
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
-
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.75
8541.21.00.75
Основной номер части
-
DTA143
DTA114
Максимальный выходной ток
-
100mA
100mA
Входной напряжение питания
-
50V
50V
Направленность
-
PNP
PNP
Частота перехода
-
250MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
-
50V
50V
Частота - Переход
-
250MHz
250MHz
База (R1)
-
4.7 k Ω
10 k Ω
Прямоходящий ток коллектора
-
-100mA
-50mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
-
4.7 k Ω
10 k Ω
Корпусировка на излучение
-
No
No
Завершение
-
-
SMD/SMT
Сокетная связка
-
-
COLLECTOR
REACH SVHC
-
-
No SVHC