Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
MRF6S27015GNR1 Альтернативные части: MW6S010GNR1 ,AFT05MS031GNR1
MRF6S27015GNR1NXP USA Inc.
В наличии: 743
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
2,813.070632 ₽
2,813.05 ₽
10
2,653.840220 ₽
26,538.46 ₽
100
2,503.622885 ₽
250,362.23 ₽
500
2,361.908393 ₽
1,180,954.26 ₽
1000
2,228.215385 ₽
2,228,215.38 ₽
Цена за единицу: 2,813.070632 ₽
Итоговая цена: 2,813.05 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R | Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R | RF MOSFET Transistors MV9 UHF 13.6V |
Корпус / Кейс | TO-270BA | TO-270BA | TO-270BA |
Номинальное напряжение | 68V | 68V | 40V |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2007 | 2009 | 2009 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Obsolete | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 3 (168 Hours) | 3 (168 Hours) | 3 (168 Hours) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Код соответствия REACH | not_compliant | not_compliant | - |
Частота | 2.6GHz | 960MHz | 520MHz |
Ток - испытание | 160mA | 125mA | 10mA |
Тип транзистора | LDMOS | LDMOS | LDMOS |
Увеличение | 14dB | 18dB | 17.7dB |
Выводная мощность | 3W | 10W | 31W |
Напряжение - испытание | 28V | 28V | 13.6V |
Состояние RoHS | Non-RoHS Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Срок поставки от производителя | - | 10 Weeks | 10 Weeks |
Поверхностный монтаж | - | YES | YES |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | - |
Количество элементов | - | 1 | - |
Рабочая температура (макс.) | - | 225°C | 150°C |
Уровень применения | - | Military grade | - |
Количество выводов | - | 2 | - |
Код ТН ВЭД | - | 8541.29.00.75 | 8541.29.00.40 |
Положение терминала | - | DUAL | - |
Форма вывода | - | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 40 | 40 |
Основной номер части | - | MW6S010 | AFT05MS031 |
Код JESD-30 | - | R-PDSO-G2 | - |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified | - |
Конфигурация | - | SINGLE | Single |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE | - |
Сокетная связка | - | SOURCE | - |
Применение транзистора | - | AMPLIFIER | - |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Минимальная напряжённость разрушения | - | 68V | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Максимальная потеря мощности (абс.) | - | 61.4W | 294W |
Транзисторы - FET, MOSFET - РЧ Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | AFT05MS031NR1 | NXP USA Inc. | Транзисторы - FET, MOSFET - РЧ | TO-270AA | FET RF 40V 520MHZ TO-270-2 | Для сравнения |
 | MW6S010GNR1 | NXP USA Inc. | Транзисторы - FET, MOSFET - РЧ | TO-270BA | Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R | Для сравнения |
| AFT05MS031GNR1 | NXP USA Inc. | Транзисторы - FET, MOSFET - РЧ | TO-270BA | RF MOSFET Transistors MV9 UHF 13.6V | Для сравнения |