MPSW01G Альтернативные части: KSD471AGTA ,KSD471ACYTA

MPSW01GON Semiconductor

  • MPSW01GON Semiconductor
  • KSD471AGTAON Semiconductor
  • KSD471ACYTAON Semiconductor

В наличии: 23929

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 30V 1A TO92
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
Trans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin TO-92 Ammo
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Поверхностный монтаж
NO
-
-
Количество контактов
3
3
3
Вес
4.535924g
240mg
240mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
30V
30V
30V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
55
120
120
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Bulk
Tape & Box (TB)
Tape & Box (TB)
Опубликовано
2005
2007
2007
Код JESD-609
e1
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Obsolete
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Tin (Sn)
Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный
30V
30V
30V
Максимальная потеря мощности
1W
800mW
800mW
Положение терминала
BOTTOM
BOTTOM
BOTTOM
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
-
Моментальный ток
1A
1A
1A
Частота
50MHz
130MHz
130MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
-
-
Основной номер части
MPSW01
KSD471
KSD471
Число контактов
3
-
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
1W
800mW
800mW
Продуктивность полосы частот
50MHz
130MHz
130MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
30V
30V
30V
Максимальный ток сбора
1A
1A
1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
60 @ 100mA 1V
200 @ 100mA 1V
120 @ 100mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1A
500mV @ 100mA, 1A
500mV @ 100mA, 1A
Частота перехода
50MHz
130MHz
130MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
40V
40V
40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
5V
Высота
6.35mm
-
5.33mm
Длина
6.35mm
-
5.2mm
Ширина
25.4mm
-
4.19mm
REACH SVHC
Unknown
-
-
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Срок поставки от производителя
-
6 Weeks
7 Weeks
Монтаж
-
Through Hole
Through Hole
Применение транзистора
-
AMPLIFIER
AMPLIFIER
Максимальное напряжение разрушения
-
30V
30V