MPS751 Альтернативные части: KSA1281YTA

MPS751ON Semiconductor

  • MPS751ON Semiconductor
  • KSA1281YTAON Semiconductor

В наличии: 991

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    16.392720 ₽

    16.35 ₽

  • 10

    15.464835 ₽

    154.67 ₽

  • 100

    14.589464 ₽

    1,458.93 ₽

  • 500

    13.763640 ₽

    6,881.87 ₽

  • 1000

    12.984574 ₽

    12,984.62 ₽

Цена за единицу: 16.392720 ₽

Итоговая цена: 16.35 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Bipolar Transistors - BJT Si PNP Transistor
Trans GP BJT PNP 50V 2A 3-Pin TO-92L Ammo
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя
6 Weeks
6 Weeks
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Количество контактов
3
3
Вес
201mg
371.1027mg
Материал элемента транзистора
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
60V
50V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
75
70
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Bulk
Tape & Box (TB)
Опубликовано
2002
2009
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный
-60V
-50V
Максимальная потеря мощности
625mW
1W
Положение терминала
BOTTOM
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
240
-
Моментальный ток
-2A
-2A
Частота
75MHz
100MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
30
-
Основной номер части
MPS751
KSA1281
Число контактов
3
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
625mW
1W
Применение транзистора
AMPLIFIER
-
Продуктивность полосы частот
75MHz
100MHz
Полярность/Тип канала
PNP
-
Тип транзистора
PNP
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
60V
50V
Максимальный ток сбора
2A
2A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
75 @ 1A 2V
120 @ 500mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
500mV @ 50mA, 1A
Частота перехода
75MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
80V
50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-80V
-50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-5V
-5V
Высота
4.58mm
8.2mm
Длина
4.58mm
5.1mm
Ширина
3.86mm
4.1mm
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free