Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
MMUN2134LT1G Альтернативные части: DDTA114YCA-7-F ,MMUN2133LT1G
MMUN2134LT1GON Semiconductor
В наличии: 1700
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
15.351209 ₽
15.38 ₽
10
14.482239 ₽
144.78 ₽
100
13.662486 ₽
1,366.21 ₽
500
12.889162 ₽
6,444.64 ₽
1000
12.159602 ₽
12,159.62 ₽
Цена за единицу: 15.351209 ₽
Итоговая цена: 15.38 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | ON SEMICONDUCTOR MMUN2134LT1G. TRANSISTOR, PRE-BIASED, PNP, 50V, 22/47KOHM, SOT-23 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) | - | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Срок поставки от производителя | 2 Weeks | - | 6 Weeks |
Вид крепления | Surface Mount | - | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Поверхностный монтаж | YES | - | YES |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 80 | 68 | 80 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2008 | 2008 | 2001 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | - |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 0.47 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 4.7 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 0.1 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -50V | -50V | -50V |
Максимальная потеря мощности | 246mW | 200mW | 246mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Моментальный ток | -100mA | -100mA | -100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 | 40 |
Основной номер части | MMUN21**L | - | MMUN21**L |
Число контактов | 3 | 3 | 3 |
Направленность | PNP | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 246mW | - | 246mW |
Применение транзистора | SWITCHING | - | SWITCHING |
Без галогенов | Halogen Free | - | Halogen Free |
Тип транзистора | PNP - Pre-Biased | - | PNP - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 300mV | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 80 @ 5mA 10V | - | 80 @ 5mA 10V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | - | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA | - | 250mV @ 300μA, 10mA |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
База (R1) | 22 k Ω | - | 4.7 k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | -100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 47 k Ω | - | 47 k Ω |
Высота | 1.01mm | 1mm | 1.01mm |
Длина | 2.9mm | 3.05mm | 3.04mm |
Ширина | 1.3mm | 1.4mm | 1.4mm |
REACH SVHC | No SVHC | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | - | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Монтаж | - | Surface Mount | - |
Вес | - | 7.994566mg | - |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.75 | - |
Код соответствия REACH | - | not_compliant | - |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified | - |
Частота перехода | - | 250MHz | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - | -300mV | - |
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE) | - | 68 | - |
Покрытие контактов | - | - | Tin |
Максимальный выходной ток | - | - | 100mA |
Входной напряжение питания | - | - | 50V |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMUN2133LT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 | Для сравнения |
| MMUN2112LT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 | Для сравнения |
| MMUN2113LT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS PNP 0.4W SOT23-3 | Для сравнения |
 | DDTA114YCA-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SOT-23-3 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 | Для сравнения |