Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
MMUN2115LT1G Альтернативные части: MMUN2133LT1G ,DDTA114ECA-7-F
MMUN2115LT1GON Semiconductor
В наличии: 14179
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
15.351209 ₽
15.38 ₽
10
14.482239 ₽
144.78 ₽
100
13.662486 ₽
1,366.21 ₽
500
12.889162 ₽
6,444.64 ₽
1000
12.159602 ₽
12,159.62 ₽
Цена за единицу: 15.351209 ₽
Итоговая цена: 15.38 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MMUN Series 50 V 100 mA 10 kOhm PNP Silicon Bias Resistor Transistor - SOT-23 | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | - |
Срок поставки от производителя | 8 Weeks | 6 Weeks | 19 Weeks |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Поверхностный монтаж | YES | YES | - |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 160 | 80 | 30 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2004 | 2001 | 2017 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - | Matte Tin (Sn) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 0.1 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -50V | -50V | -50V |
Максимальная потеря мощности | 400mW | 246mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Моментальный ток | 100mA | -100mA | -50mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 | 40 |
Основной номер части | MMUN21**L | MMUN21**L | DDTA114 |
Число контактов | 3 | 3 | 3 |
Максимальный выходной ток | 100mA | 100mA | - |
Входной напряжение питания | 50V | 50V | - |
Направленность | PNP | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 246mW | 246mW | - |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | - |
Без галогенов | Halogen Free | Halogen Free | - |
Тип транзистора | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 160 @ 5mA 10V | 80 @ 5mA 10V | 30 @ 5mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA | 250mV @ 300μA, 10mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
База (R1) | 10 k Ω | 4.7 k Ω | 10 k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA | -100mA |
Высота | 1.01mm | 1.01mm | 1mm |
Длина | 3.04mm | 3.04mm | 3.05mm |
Ширина | 1.4mm | 1.4mm | 1.4mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Tin | - |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | - | 47 k Ω | 10 k Ω |
Монтаж | - | - | Surface Mount |
Вес | - | - | 7.994566mg |
Код ТН ВЭД | - | - | 8541.21.00.75 |
Частота перехода | - | - | 250MHz |
Частота - Переход | - | - | 250MHz |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - | - | -3V |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMUN2133LT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 | Для сравнения |
 | DDTA114ECA-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 | Для сравнения |
| MMUN2116LT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 | Для сравнения |
| MMUN2132LT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 | Для сравнения |