MMUN2113LT1G Альтернативные части: MMUN2112LT1G

MMUN2113LT1GON Semiconductor

В наличии: 11990

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
3.596154 ₽
3.57 ₽
10
3.392596 ₽
33.93 ₽
100
3.200563 ₽
320.05 ₽
500
3.019396 ₽
1,509.75 ₽
1000
2.848489 ₽
2,848.49 ₽

Цена за единицу: 3.596154 ₽

Итоговая цена: 3.57 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иMMUN2113LT1G	иMMUN2112LT1G
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	TRANS PREBIAS PNP 0.4W SOT23-3	TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)	ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Срок поставки от производителя	4 Weeks	4 Weeks
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж	YES	YES
Количество контактов	3	3
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	80	60
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2001	2001
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	-
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C
Дополнительная Характеристика	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1
Код ТН ВЭД	8541.21.00.95	8541.21.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный	-50V	-50V
Максимальная потеря мощности	246mW	246mW
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Моментальный ток	-100mA	-100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Основной номер части	MMUN21**L	MMUN21**L
Число контактов	3	3
Максимальный выходной ток	100mA	-
Входной напряжение питания	50V	-
Направленность	PNP	PNP
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	246mW	246mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Без галогенов	Halogen Free	Halogen Free
Тип транзистора	PNP - Pre-Biased	PNP - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	50V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	80 @ 5mA 10V	60 @ 5mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	250mV @ 300μA, 10mA	250mV @ 300μA, 10mA
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V
База (R1)	47 k Ω	22 k Ω
Прямоходящий ток коллектора	100mA	100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)	47 k Ω	22 k Ω
Высота	940μm	1.01mm
Длина	2.9mm	3.04mm
Ширина	1.3mm	1.4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Покрытие контактов	-	Tin

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
MMUN2133LT1G	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3	Для сравнения
MMUN2112LT1G	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3	Для сравнения
MMUN2134LT1G	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ON SEMICONDUCTOR MMUN2134LT1G. TRANSISTOR, PRE-BIASED, PNP, 50V, 22/47KOHM, SOT-23	Для сравнения
DDTA114YCA-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SOT-23-3	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3	Для сравнения