MMSTA13-7-F Альтернативные части: BC848BW-7-F ,2SC4213BTE85LF

MMSTA13-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 980

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
44.134725 ₽
44.09 ₽
10
41.636511 ₽
416.35 ₽
100
39.279712 ₽
3,928.02 ₽
500
37.056374 ₽
18,528.16 ₽
1000
34.958832 ₽
34,958.79 ₽

Цена за единицу: 44.134725 ₽

Итоговая цена: 44.09 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иMMSTA13-7-F	иBC848BW-7-F	и2SC4213BTE85LF
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:	TRANS NPN DARL 30V 0.3A SC70-3	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR	TRANS NPN 20V 0.3A USM
Срок поставки от производителя	13 Weeks	15 Weeks	16 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SC-70, SOT-323	SC-70, SOT-323	SC-70, SOT-323
Количество контактов	3	3	3
Вес	6.010099mg	6.010099mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	-
Диэлектрический пробой напряжение	30V	30V	20V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	5000	200	200
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-65°C~150°C TJ	125°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)
Опубликовано	2007	2007	2009
Код JESD-609	e3	e3	-
Безоловая кодировка	yes	yes	-
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	-
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	-	-
Максимальная потеря мощности	200mW	200mW	100mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	-
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	-
Моментальный ток	300mA	-	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	-
Основной номер части	MMSTA13	-	-
Число контактов	3	3	-
Направленность	NPN	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	-
Тип транзистора	NPN - Darlington	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	30V	30V	20V
Максимальный ток сбора	300mA	100mA	300mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	10000 @ 100mA 5V	200 @ 2mA 5V	350 @ 4mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	20nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	1.5V @ 100μA, 100mA	600mV @ 5mA, 100mA	100mV @ 3mA, 30A
Частота перехода	125MHz	300MHz	-
Максимальное напряжение разрушения	30V	-	20V
Частота - Переход	125MHz	-	-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	30V	30V	50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	10V	5V	25V
Высота	1mm	1mm	-
Длина	2.2mm	2.2mm	-
Ширина	1.35mm	1.35mm	-
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	-
Корпусировка на излучение	No	-	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	-	-
Покрытие контактов	-	Tin	Silver, Tin
Частота	-	300MHz	30MHz
Квалификационный Статус	-	Not Qualified	-
Распад мощности	-	200mW	100mW
Продуктивность полосы частот	-	300MHz	30MHz
Полярность/Тип канала	-	NPN	NPN
Код соответствия REACH	-	-	unknown

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
MMSTA14-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	TRANS NPN DARL 30V 0.3A SC70-3	Для сравнения
BC848BW-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR	Для сравнения
2SC4213BTE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	TRANS NPN 20V 0.3A USM	Для сравнения
2DD2656-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	TRANS NPN 30V 1A SOT-323	Для сравнения