MMSTA13-7-F Альтернативные части: 2SC4213BTE85LF ,2DD2656-7

MMSTA13-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 980

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
44.134725 ₽
44.09 ₽
10
41.636511 ₽
416.35 ₽
100
39.279712 ₽
3,928.02 ₽
500
37.056374 ₽
18,528.16 ₽
1000
34.958832 ₽
34,958.79 ₽

Цена за единицу: 44.134725 ₽

Итоговая цена: 44.09 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иMMSTA13-7-F	и2SC4213BTE85LF	и2DD2656-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Toshiba Semiconductor and Storage	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS NPN DARL 30V 0.3A SC70-3	TRANS NPN 20V 0.3A USM	TRANS NPN 30V 1A SOT-323
Срок поставки от производителя	13 Weeks	16 Weeks	12 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SC-70, SOT-323	SC-70, SOT-323	SC-70, SOT-323
Количество контактов	3	3	3
Вес	6.010099mg	-	6.010099mg
Материал элемента транзистора	SILICON	-	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	30V	20V	30V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	5000	200	270
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	125°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2007	2009	2008
Код JESD-609	e3	-	e3
Безоловая кодировка	yes	-	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	-	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-	Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	-	-
Максимальная потеря мощности	200mW	100mW	300mW
Положение терминала	DUAL	-	DUAL
Форма вывода	GULL WING	-	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-	260
Моментальный ток	300mA	-	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	-	40
Основной номер части	MMSTA13	-	2DD2656
Число контактов	3	-	3
Направленность	NPN	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Применение транзистора	SWITCHING	-	SWITCHING
Тип транзистора	NPN - Darlington	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	30V	20V	30V
Максимальный ток сбора	300mA	300mA	1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	10000 @ 100mA 5V	350 @ 4mA 2V	270 @ 100mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	1.5V @ 100μA, 100mA	100mV @ 3mA, 30A	350mV @ 25mA, 500mA
Частота перехода	125MHz	-	270MHz
Максимальное напряжение разрушения	30V	20V	30V
Частота - Переход	125MHz	-	-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	30V	50V	30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	10V	25V	6V
Высота	1mm	-	1mm
Длина	2.2mm	-	2.15mm
Ширина	1.35mm	-	1.3mm
REACH SVHC	No SVHC	-	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	-	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	-	-
Покрытие контактов	-	Silver, Tin	-
Код соответствия REACH	-	unknown	-
Частота	-	30MHz	270MHz
Распад мощности	-	100mW	500mW
Продуктивность полосы частот	-	30MHz	270MHz
Полярность/Тип канала	-	NPN	NPN
Завершение	-	-	SMD/SMT
Мощность - Макс	-	-	300mW

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
MMSTA14-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	TRANS NPN DARL 30V 0.3A SC70-3	Для сравнения
BC848BW-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR	Для сравнения
2SC4213BTE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	TRANS NPN 20V 0.3A USM	Для сравнения
2DD2656-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SC-70, SOT-323	TRANS NPN 30V 1A SOT-323	Для сравнения