Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
MMDT2227M-7 Альтернативные части: RN1602(TE85L,F)
MMDT2227M-7Diodes Incorporated
В наличии: 3
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
7.991621 ₽
7.97 ₽
10
7.539258 ₽
75.41 ₽
100
7.112514 ₽
711.26 ₽
500
6.709918 ₽
3,354.95 ₽
1000
6.330110 ₽
6,330.08 ₽
Цена за единицу: 7.991621 ₽
Итоговая цена: 7.97 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS NPN/PNP 40V/60V 0.6A SOT26 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SM T/R |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 11 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-23-6 | SC-74, SOT-457 |
Количество контактов | 6 | 6 |
Вес | 29.993795mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 60V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 35 | 50 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
Опубликовано | 2007 | 2010 |
Код JESD-609 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | - |
Код ECCN | EAR99 | - |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - |
Максимальная потеря мощности | 300mW | 300mW |
Форма вывода | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - |
Моментальный ток | 600mA | - |
Частота | 300MHz | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - |
Основной номер части | MMDT2227M | - |
Число контактов | 6 | - |
Направленность | NPN, PNP | NPN |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Распад мощности | 300mW | - |
Применение транзистора | SWITCHING | - |
Продуктивность полосы частот | 300MHz | - |
Тип транзистора | NPN, PNP | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 1V | 50V |
Максимальный ток сбора | 600mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 100 @ 150mA 10V | 50 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 10nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA | 300mV @ 250μA, 5mA |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 40V 60V | - |
Частота перехода | 300MHz | - |
Максимальное напряжение разрушения | 60V | 50V |
Частота - Переход | 300MHz 200MHz | 250MHz |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 75V | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6V | 10V |
Высота | 1.1mm | - |
Длина | 3mm | - |
Ширина | 1.6mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | - |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | -55°C |
База (R1) | - | 10k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | - | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | - | 10k Ω |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMB2227A-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 | Bipolar Transistors - BJT 300mW +/-600mA | Для сравнения |
| DMMT2907A-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 6-Pin SOT-26 T/R | Для сравнения |
| IMT17-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 | Bipolar Transistors - BJT 300mW -50Vceo | Для сравнения |
 | RN1602(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SC-74, SOT-457 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SM T/R | Для сравнения |