MMBTH24 Альтернативные части: MMBTH10 ,MMBTH11

MMBTH24ON Semiconductor

  • MMBTH24ON Semiconductor
  • MMBTH10ON Semiconductor
  • MMBTH11ON Semiconductor

В наличии: 19

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    1.036209 ₽

    1.10 ₽

  • 500

    0.761896 ₽

    380.91 ₽

  • 1000

    0.634959 ₽

    634.89 ₽

  • 2000

    0.582486 ₽

    1,164.97 ₽

  • 5000

    0.544396 ₽

    2,721.98 ₽

  • 10000

    0.506401 ₽

    5,064.01 ₽

  • 15000

    0.489794 ₽

    7,346.98 ₽

  • 50000

    0.481552 ₽

    24,077.61 ₽

Цена за единицу: 1.036209 ₽

Итоговая цена: 1.10 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT NPN 30V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
TRANSISTOR RF NPN SOT-23
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
LIFETIME (Last Updated: 4 days ago)
Срок поставки от производителя
7 Weeks
14 Weeks
6 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
3
Вес
30mg
30mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
-
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
30V
25V
25V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
30
60
60
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2002
2007
2002
Код JESD-609
e3
-
e3
Безоловая кодировка
yes
-
yes
Состояние изделия
Obsolete
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
3
Код ECCN
EAR99
-
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
-
Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный
30V
25V
25V
Максимальная потеря мощности
225mW
225mW
225mW
Положение терминала
DUAL
-
DUAL
Форма вывода
GULL WING
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
-
Моментальный ток
50mA
50mA
50mA
Частота
400MHz
650MHz
650MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
30
-
-
Основной номер части
MMBTH24
MMBTH10
MMBTH11
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
225mW
225mW
225mW
Применение транзистора
AMPLIFIER
-
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
400MHz
650MHz
650MHz
Полярность/Тип канала
NPN
-
NPN
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
30V
25V
25V
Максимальный ток сбора
50mA
50mA
50mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
30 @ 8mA 10V
60 @ 4mA 10V
60 @ 4mA 10V
Частота перехода
400MHz
-
650MHz
Максимальное напряжение разрушения
30V
25V
25V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
40V
30V
30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
4V
3V
3V
Прямоходящий ток коллектора
50mA
50mA
50mA
Высота
930μm
930μm
930μm
Длина
2.92mm
2.92mm
2.92mm
Ширина
1.3mm
1.3mm
1.3mm
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
RoHS Compliant
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
Tin
-
Поставщик упаковки устройства
-
SOT-23-3 (TO-236)
-
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
50mA
-
Максимальная рабочая температура
-
150°C
-
Минимальная температура работы
-
-55°C
-
Направленность
-
NPN
-
Мощность - Макс
-
225mW
-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
25V
-
Максимальная частота
-
650MHz
-
Частота - Переход
-
650MHz
-
REACH SVHC
-
No SVHC
-
Выводная мощность
-
-
225mW
Сопротивление базы-эмиттора макс
-
-
0.7pF