MMBTA64 Альтернативные части: BCV26

MMBTA64ON Semiconductor

  • MMBTA64ON Semiconductor
  • BCV26ON Semiconductor

В наличии: 3

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    1.352830 ₽

    1.37 ₽

  • 500

    0.994753 ₽

    497.39 ₽

  • 1000

    0.828970 ₽

    828.98 ₽

  • 2000

    0.760467 ₽

    1,520.88 ₽

  • 5000

    0.710755 ₽

    3,553.85 ₽

  • 10000

    0.661154 ₽

    6,611.54 ₽

  • 15000

    0.639382 ₽

    9,590.66 ₽

  • 50000

    0.628723 ₽

    31,436.13 ₽

Цена за единицу: 1.352830 ₽

Итоговая цена: 1.37 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans Darlington PNP 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Darlington PNP 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя
14 Weeks
17 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Поставщик упаковки устройства
SOT-23
-
Вес
30mg
30mg
Диэлектрический пробой напряжение
30V
30V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
1.2A
-
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
20000
10000
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2011
2000
Состояние изделия
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура
150°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-30V
-30V
Максимальная потеря мощности
350mW
350mW
Моментальный ток
-1.2A
-1.2A
Основной номер части
MMBTA64
BCV26
Направленность
PNP
PNP
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
350mW
350mW
Мощность - Макс
350mW
-
Тип транзистора
PNP - Darlington
PNP - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
30V
30V
Максимальный ток сбора
1.2A
1.2A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
20000 @ 100mA 5V
20000 @ 100mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
1.5V @ 100μA, 100mA
1V @ 100μA, 100mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
30V
-
Максимальное напряжение разрушения
30V
30V
Частота - Переход
125MHz
220MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
30V
40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
10V
10V
Высота
930μm
930μm
Длина
2.92mm
2.92mm
Ширина
1.3mm
1.3mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
Tin
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Код JESD-609
-
e3
Безоловая кодировка
-
yes
Количество выводов
-
3
Код ECCN
-
EAR99
Положение терминала
-
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
Частота перехода
-
220MHz