MMBTA64ON Semiconductor
В наличии: 3
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
1.352830 ₽
1.37 ₽
500
0.994753 ₽
497.39 ₽
1000
0.828970 ₽
828.98 ₽
2000
0.760467 ₽
1,520.88 ₽
5000
0.710755 ₽
3,553.85 ₽
10000
0.661154 ₽
6,611.54 ₽
15000
0.639382 ₽
9,590.66 ₽
50000
0.628723 ₽
31,436.13 ₽
Цена за единицу: 1.352830 ₽
Итоговая цена: 1.37 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans Darlington PNP 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | Trans Darlington PNP 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
Состояние жизненного цикла | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago) | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 17 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Поставщик упаковки устройства | SOT-23 | - |
Вес | 30mg | 30mg |
Диэлектрический пробой напряжение | 30V | 30V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 1.2A | - |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 20000 | 10000 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2011 | 2000 |
Состояние изделия | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - |
Минимальная температура работы | -55°C | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -30V | -30V |
Максимальная потеря мощности | 350mW | 350mW |
Моментальный ток | -1.2A | -1.2A |
Основной номер части | MMBTA64 | BCV26 |
Направленность | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 350mW | 350mW |
Мощность - Макс | 350mW | - |
Тип транзистора | PNP - Darlington | PNP - Darlington |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 30V | 30V |
Максимальный ток сбора | 1.2A | 1.2A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 20000 @ 100mA 5V | 20000 @ 100mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 1.5V @ 100μA, 100mA | 1V @ 100μA, 100mA |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 30V | - |
Максимальное напряжение разрушения | 30V | 30V |
Частота - Переход | 125MHz | 220MHz |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 30V | 40V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 10V | 10V |
Высота | 930μm | 930μm |
Длина | 2.92mm | 2.92mm |
Ширина | 1.3mm | 1.3mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Tin |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Код JESD-609 | - | e3 |
Безоловая кодировка | - | yes |
Количество выводов | - | 3 |
Код ECCN | - | EAR99 |
Положение терминала | - | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING |
Частота перехода | - | 220MHz |