MMBTA63-7-F Альтернативные части: KST63MTF

MMBTA63-7-FDiodes Incorporated

  • MMBTA63-7-FDiodes Incorporated
  • KST63MTFON Semiconductor

В наличии: 39812

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    21.107912 ₽

    21.15 ₽

  • 10

    19.913104 ₽

    199.18 ₽

  • 100

    18.785948 ₽

    1,878.57 ₽

  • 500

    17.722582 ₽

    8,861.26 ₽

  • 1000

    16.719478 ₽

    16,719.51 ₽

Цена за единицу: 21.107912 ₽

Итоговая цена: 21.15 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R
TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-23
Срок поставки от производителя
19 Weeks
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
7.994566mg
-
Материал элемента транзистора
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
30V
30V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
5000
5000
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Серия
Automotive, AEC-Q101
-
Опубликовано
2008
-
Код JESD-609
e3
-
Безоловая кодировка
yes
-
Состояние изделия
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
Код ECCN
EAR99
-
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-30V
-30V
Максимальная потеря мощности
300mW
350mW
Положение терминала
DUAL
-
Форма вывода
GULL WING
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
Моментальный ток
-500mA
-500mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
-
Основной номер части
MMBTA63
-
Число контактов
3
-
Направленность
PNP
PNP
Конфигурация элемента
Single
Single
Мощность - Макс
300mW
-
Применение транзистора
SWITCHING
-
Тип транзистора
PNP - Darlington
PNP - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
30V
30V
Максимальный ток сбора
500mA
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
10000 @ 100mA 5V
10000 @ 100mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
1.5V @ 100μA, 100mA
1.5V @ 100μA, 100mA
Частота перехода
125MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
30V
-
Частота - Переход
125MHz
125MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
30V
30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
10V
10V
Высота
1mm
-
Длина
3.05mm
-
Ширина
1.4mm
-
Корпусировка на излучение
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Максимальная рабочая температура
-
150°C