Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
MMBTA63 Альтернативные части: BC859AMTF ,BC858BMTF
MMBTA63ON Semiconductor
В наличии: 24000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
5.478654 ₽
5.49 ₽
500
4.028448 ₽
2,014.29 ₽
1000
3.357019 ₽
3,357.01 ₽
2000
3.079835 ₽
6,159.62 ₽
5000
2.878352 ₽
14,391.76 ₽
10000
2.677541 ₽
26,775.41 ₽
15000
2.589464 ₽
38,842.03 ₽
50000
2.546195 ₽
127,309.75 ₽
Цена за единицу: 5.478654 ₽
Итоговая цена: 5.49 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans Darlington PNP 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP |
Состояние жизненного цикла | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago) | - | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Поставщик упаковки устройства | SOT-23-3 | - | - |
Вес | 30mg | 30mg | 30mg |
Диэлектрический пробой напряжение | 30V | 30V | 30V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 1.2A | - | - |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 10000 | 110 | 110 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | 150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2016 | - | 2004 |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - | - |
Минимальная температура работы | -55°C | - | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -30V | -30V | -30V |
Максимальная потеря мощности | 350mW | 310mW | 310mW |
Моментальный ток | -1.2A | -100mA | -100mA |
Основной номер части | MMBTA63 | BC859 | BC858 |
Направленность | PNP | - | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Мощность - Макс | 350mW | - | - |
Тип транзистора | PNP - Darlington | PNP | PNP |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 30V | 650mV | 30V |
Максимальный ток сбора | 1.2A | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 10000 @ 100mA 5V | 110 @ 2mA 5V | 200 @ 2mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 15nA ICBO | 15nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 1.5V @ 100μA, 100mA | 650mV @ 5mA, 100mA | 650mV @ 5mA, 100mA |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 30V | - | - |
Максимальное напряжение разрушения | 30V | - | 30V |
Частота - Переход | 125MHz | - | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | -30V | -30V | -30V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -10V | -5V | -5V |
Корпусировка на излучение | No | - | - |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Безоловая кодировка | - | yes | yes |
Частота | - | 150MHz | 150MHz |
Распад мощности | - | 310mW | 310mW |
Продуктивность полосы частот | - | 150MHz | 150MHz |
Срок поставки от производителя | - | - | 13 Weeks |
Покрытие контактов | - | - | Tin |
Материал элемента транзистора | - | - | SILICON |
Код JESD-609 | - | - | e3 |
Количество выводов | - | - | 3 |
Код ECCN | - | - | EAR99 |
Положение терминала | - | - | DUAL |
Форма вывода | - | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | - | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | - | NOT SPECIFIED |
Квалификационный Статус | - | - | Not Qualified |
Применение транзистора | - | - | SWITCHING |
Полярность/Тип канала | - | - | PNP |
Частота перехода | - | - | 150MHz |
Высота | - | - | 930μm |
Длина | - | - | 2.9mm |
Ширина | - | - | 1.3mm |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC859BMTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP | Для сравнения |
| BC859AMTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23 | Для сравнения |
| BC858BMTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP | Для сравнения |