MMBTA28-7-FDiodes Incorporated
В наличии: 8000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
2.526374 ₽
2.47 ₽
10
2.383365 ₽
23.90 ₽
100
2.248462 ₽
224.86 ₽
500
2.121195 ₽
1,060.58 ₽
1000
2.001126 ₽
2,001.10 ₽
Цена за единицу: 2.526374 ₽
Итоговая цена: 2.47 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans Darlington NPN 80V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 6 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 7.994566mg | 30mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 80V | 80V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 10000 | 50 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | Automotive, AEC-Q101 | - |
Опубликовано | 2008 | 2002 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 80V | 80V |
Максимальная потеря мощности | 300mW | 350mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - |
Моментальный ток | 500mA | 500mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - |
Основной номер части | MMBTA28 | KST06 |
Число контактов | 3 | - |
Направленность | NPN | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 300mW | 350mW |
Применение транзистора | SWITCHING | - |
Продуктивность полосы частот | 125MHz | 100MHz |
Тип транзистора | NPN - Darlington | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 80V | 80V |
Максимальный ток сбора | 500mA | 500mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 10000 @ 100mA 5V | 50 @ 100mA 1V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 100nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 1.5V @ 100μA, 100mA | 250mV @ 10mA, 100mA |
Частота перехода | 125MHz | 100MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 80V | 80V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 80V | 80V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 12V | 4V |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | - |
Высота | 1.1mm | 970μm |
Длина | 3.05mm | 2.9mm |
Ширина | 1.4mm | 1.3mm |
REACH SVHC | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C |
Частота | - | 100MHz |
Полярность/Тип канала | - | NPN |