MMBTA06-7-F Альтернативные части: MMBTA06

MMBTA06-7-FDiodes Incorporated

  • MMBTA06-7-FDiodes Incorporated
  • MMBTA06ON Semiconductor

В наличии: 119034

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    1.925000 ₽

    1.92 ₽

  • 10

    1.816044 ₽

    18.13 ₽

  • 100

    1.713242 ₽

    171.29 ₽

  • 500

    1.616264 ₽

    808.10 ₽

  • 1000

    1.524780 ₽

    1,524.73 ₽

Цена за единицу: 1.925000 ₽

Итоговая цена: 1.92 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Transistor General Purpose BJT NPN 80 Volt 0.5 Amp 3-Pin SOT-23 Tape And Reel
TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23
Срок поставки от производителя
15 Weeks
-
Покрытие контактов
Tin
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
7.994566mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
80V
80V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
100
100
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Серия
Automotive, AEC-Q101
-
Опубликовано
2009
2000
Код JESD-609
e3
-
Безоловая кодировка
yes
-
Состояние изделия
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
Завершение
SMD/SMT
SMD/SMT
Код ECCN
EAR99
-
Дополнительная Характеристика
HIGH RELIABILITY
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
80V
80V
Максимальная потеря мощности
300mW
350mW
Положение терминала
DUAL
-
Форма вывода
GULL WING
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
Моментальный ток
500mA
500mA
Частота
100MHz
100MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
-
Основной номер части
MMBTA06
MMBTA06
Число контактов
3
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
310mW
350mW
Применение транзистора
SWITCHING
-
Продуктивность полосы частот
100MHz
100MHz
Полярность/Тип канала
NPN
-
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
80V
80V
Максимальный ток сбора
500mA
500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 100mA 1V
100 @ 100mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA
100nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
250mV @ 10mA, 100mA
Частота перехода
100MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
80V
80V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
80V
80V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
4V
4V
Максимальная температура перехода (Тj)
150°C
150°C
Прямоходящий ток коллектора
500mA
-
Высота
1.1mm
1.2mm
Длина
3.05mm
6.35mm
Ширина
1.4mm
6.35mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Поставщик упаковки устройства
-
SOT-23-3
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
500mA
Максимальная рабочая температура
-
150°C
Минимальная температура работы
-
-55°C
Направленность
-
NPN
Мощность - Макс
-
350mW
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
80V
Максимальная частота
-
100MHz
Частота - Переход
-
100MHz