Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
MMBT6521LT1G Альтернативные части: BC848CLT1G ,BC848ALT1G
MMBT6521LT1GON Semiconductor
В наличии: 6504
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
25.905165 ₽
25.96 ₽
10
24.438832 ₽
244.37 ₽
100
23.055495 ₽
2,305.49 ₽
500
21.750453 ₽
10,875.27 ₽
1000
20.519286 ₽
20,519.23 ₽
Цена за единицу: 25.905165 ₽
Итоговая цена: 25.96 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MMBT6521 Series 25 V 100 mA SMT NPN Amplifier Transistor - SOT-23-3 | TRANS NPN 30V 0.1A SOT23 | TRANS NPN 30V 0.1A SOT23 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Срок поставки от производителя | 2 Weeks | 4 Weeks | 2 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin | Tin |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Поверхностный монтаж | YES | YES | YES |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 25V | 30V | 30V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 150 | 420 | 110 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) |
Опубликовано | 2006 | 2005 | 2007 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 25V | 30V | 30V |
Максимальная потеря мощности | 225mW | 300mW | 300mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Моментальный ток | 100mA | 100mA | 100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 | 40 |
Число контактов | 3 | 3 | 3 |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 300mW | 300mW | 300mW |
Применение транзистора | AMPLIFIER | - | - |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 25V | 30V | 30V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 300 @ 2mA 10V | 420 @ 2mA 5V | 110 @ 2mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA ICBO | 15nA ICBO | 15nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA | 600mV @ 5mA, 100mA | 600mV @ 5mA, 100mA |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 40V | 30V | 30V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4V | 5V | 5V |
REACH SVHC | Unknown | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Частота | - | 100MHz | 100MHz |
Продуктивность полосы частот | - | 100MHz | 100MHz |
Частота перехода | - | 100MHz | 100MHz |
Максимальное напряжение разрушения | - | 30V | 30V |
Высота | - | 940μm | 1.01mm |
Длина | - | 2.9mm | 3.04mm |
Ширина | - | 1.3mm | 1.4mm |
Без галогенов | - | - | Halogen Free |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC848CLT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 30V 0.1A SOT23 | Для сравнения |
 | BC848ALT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 30V 0.1A SOT23 | Для сравнения |
| BC848BLT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 30V 0.1A SOT23 | Для сравнения |