MMBT5089LT1G Альтернативные части: MMBTH10LT1G ,MMBT5088LT1

MMBT5089LT1GON Semiconductor

  • MMBT5089LT1GON Semiconductor
  • MMBTH10LT1GON Semiconductor
  • MMBT5088LT1ON Semiconductor

В наличии: 1023

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    6.406593 ₽

    6.46 ₽

  • 10

    6.043956 ₽

    60.44 ₽

  • 100

    5.701841 ₽

    570.19 ₽

  • 500

    5.379093 ₽

    2,689.56 ₽

  • 1000

    5.074615 ₽

    5,074.59 ₽

Цена за единицу: 6.406593 ₽

Итоговая цена: 6.46 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 25V 0.05A SOT23
TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23
TRANS NPN 30V 0.05A SOT23
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя
9 Weeks
8 Weeks
-
Покрытие контактов
Tin
Tin
-
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
-
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
Поверхностный монтаж
YES
YES
YES
Количество контактов
3
3
3
Вес
4.535924g
4.535924g
-
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
25V
25V
30V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
400
60
300
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Опубликовано
1997
2001
2006
Код JESD-609
e3
e3
e0
Безоловая кодировка
yes
yes
no
Состояние изделия
Active
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный
25V
25V
30V
Максимальная потеря мощности
225mW
225mW
300mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
240
Моментальный ток
50mA
4mA
50A
Частота
50MHz
650MHz
50MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
30
Основной номер части
MMBT5089
MMBTH10
-
Число контактов
3
3
3
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
225mW
225mW
300mW
Мощность - Макс
300mW
-
-
Продуктивность полосы частот
50MHz
650MHz
50MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
-
Тип транзистора
NPN
NPN
-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
25V
25V
30V
Максимальный ток сбора
50mA
100nA
50mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
400 @ 100μA 5V
60 @ 4mA 10V
-
Ток - отсечка коллектора (макс)
50nA ICBO
-
-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
500mV @ 1mA, 10mA
-
-
Частота перехода
50MHz
650MHz
50MHz
Максимальное напряжение разрушения
25V
25V
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
30V
30V
35V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
4.5V
3V
4.5V
Высота
1.11mm
1.11mm
-
Длина
3.04mm
3.04mm
-
Ширина
2.64mm
1.4mm
-
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Non-RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Contains Lead
Завершение
-
SMD/SMT
-
Без галогенов
-
Halogen Free
-
Максимальная температура перехода (Тj)
-
150°C
-
Сопротивление базы-эмиттора макс
-
0.7pF
-
Конечная обработка контакта
-
-
Tin/Lead (Sn/Pb)
Максимальная рабочая температура
-
-
150°C
Минимальная температура работы
-
-
-55°C
Дополнительная Характеристика
-
-
LOW NOISE
Код соответствия REACH
-
-
not_compliant
Квалификационный Статус
-
-
Not Qualified
Направленность
-
-
NPN
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)
-
-
300