MMBT5089LT1G Альтернативные части: MMBT5088LT1G ,MMBTH10LT1G

MMBT5089LT1GON Semiconductor

В наличии: 1023

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
6.406593 ₽
6.46 ₽
10
6.043956 ₽
60.44 ₽
100
5.701841 ₽
570.19 ₽
500
5.379093 ₽
2,689.56 ₽
1000
5.074615 ₽
5,074.59 ₽

Цена за единицу: 6.406593 ₽

Итоговая цена: 6.46 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иMMBT5089LT1G	иMMBT5088LT1G	иMMBTH10LT1G
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	TRANS NPN 25V 0.05A SOT23	TRANS NPN 30V 0.05A SOT23	TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя	9 Weeks	4 Weeks	8 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin	Tin
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж	YES	YES	YES
Количество контактов	3	3	3
Вес	4.535924g	4.535924g	4.535924g
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	25V	30V	25V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	400	300	60
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	1997	2005	2001
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный	25V	30V	25V
Максимальная потеря мощности	225mW	300mW	225mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Моментальный ток	50mA	50mA	4mA
Частота	50MHz	50MHz	650MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Основной номер части	MMBT5089	MMBT5088	MMBTH10
Число контактов	3	3	3
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	225mW	300mW	225mW
Мощность - Макс	300mW	-	-
Продуктивность полосы частот	50MHz	50MHz	650MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	25V	30V	25V
Максимальный ток сбора	50mA	50mA	100nA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	400 @ 100μA 5V	300 @ 100μA 5V	60 @ 4mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)	50nA ICBO	50nA ICBO	-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	500mV @ 1mA, 10mA	500mV @ 1mA, 10mA	-
Частота перехода	50MHz	50MHz	650MHz
Максимальное напряжение разрушения	25V	30V	25V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	30V	35V	30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	4.5V	4.5V	3V
Высота	1.11mm	1.01mm	1.11mm
Длина	3.04mm	3.04mm	3.04mm
Ширина	2.64mm	1.4mm	1.4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Завершение	-	-	SMD/SMT
Без галогенов	-	-	Halogen Free
Максимальная температура перехода (Тj)	-	-	150°C
Сопротивление базы-эмиттора макс	-	-	0.7pF

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
MMBT5088LT1G	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 30V 0.05A SOT23	Для сравнения
MMBTH10LT1G	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23	Для сравнения
MMBT5088LT1	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	SOT-23-3	TRANS NPN 30V 0.05A SOT23	Для сравнения