MMBT5089LT1G Альтернативные части: MMBT5088LT1 ,MMBT5088LT1G

MMBT5089LT1GON Semiconductor

  • MMBT5089LT1GON Semiconductor
  • MMBT5088LT1ON Semiconductor
  • MMBT5088LT1GON Semiconductor

В наличии: 1023

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    6.406593 ₽

    6.46 ₽

  • 10

    6.043956 ₽

    60.44 ₽

  • 100

    5.701841 ₽

    570.19 ₽

  • 500

    5.379093 ₽

    2,689.56 ₽

  • 1000

    5.074615 ₽

    5,074.59 ₽

Цена за единицу: 6.406593 ₽

Итоговая цена: 6.46 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 25V 0.05A SOT23
TRANS NPN 30V 0.05A SOT23
TRANS NPN 30V 0.05A SOT23
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя
9 Weeks
-
4 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Tin
Вид крепления
Surface Mount
-
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж
YES
YES
YES
Количество контактов
3
3
3
Вес
4.535924g
-
4.535924g
Материал элемента транзистора
SILICON
-
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
25V
30V
30V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
400
300
300
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
1997
2006
2005
Код JESD-609
e3
e0
e3
Безоловая кодировка
yes
no
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный
25V
30V
30V
Максимальная потеря мощности
225mW
300mW
300mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
240
260
Моментальный ток
50mA
50A
50mA
Частота
50MHz
50MHz
50MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
30
40
Основной номер части
MMBT5089
-
MMBT5088
Число контактов
3
3
3
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
225mW
300mW
300mW
Мощность - Макс
300mW
-
-
Продуктивность полосы частот
50MHz
50MHz
50MHz
Полярность/Тип канала
NPN
-
NPN
Тип транзистора
NPN
-
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
25V
30V
30V
Максимальный ток сбора
50mA
50mA
50mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
400 @ 100μA 5V
-
300 @ 100μA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
50nA ICBO
-
50nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
500mV @ 1mA, 10mA
-
500mV @ 1mA, 10mA
Частота перехода
50MHz
50MHz
50MHz
Максимальное напряжение разрушения
25V
-
30V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
30V
35V
35V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
4.5V
4.5V
4.5V
Высота
1.11mm
-
1.01mm
Длина
3.04mm
-
3.04mm
Ширина
2.64mm
-
1.4mm
REACH SVHC
No SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
Non-RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Contains Lead
Lead Free
Конечная обработка контакта
-
Tin/Lead (Sn/Pb)
-
Максимальная рабочая температура
-
150°C
-
Минимальная температура работы
-
-55°C
-
Дополнительная Характеристика
-
LOW NOISE
-
Код соответствия REACH
-
not_compliant
-
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
-
Направленность
-
NPN
-
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)
-
300
-