MMBT4401T-7-F Альтернативные части: FJY3011R

MMBT4401T-7-FDiodes Incorporated

  • MMBT4401T-7-FDiodes Incorporated
  • FJY3011RON Semiconductor

В наличии: 3000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    3.839423 ₽

    3.85 ₽

  • 10

    3.622102 ₽

    36.26 ₽

  • 100

    3.417074 ₽

    341.76 ₽

  • 500

    3.223654 ₽

    1,611.81 ₽

  • 1000

    3.041181 ₽

    3,041.21 ₽

Цена за единицу: 3.839423 ₽

Итоговая цена: 3.85 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 40V 0.6A SOT-523
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT523F
Срок поставки от производителя
15 Weeks
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-523
SC-89, SOT-490
Количество контактов
3
3
Вес
2.012816mg
-
Материал элемента транзистора
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
40V
40V
Количество элементов
1
-
Минимальная частота работы в герцах
100
100
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Серия
Automotive, AEC-Q101
-
Опубликовано
2007
-
Код JESD-609
e3
-
Безоловая кодировка
yes
-
Состояние изделия
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
Код ECCN
EAR99
-
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
40V
40V
Максимальная потеря мощности
150mW
200mW
Положение терминала
DUAL
-
Форма вывода
GULL WING
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
Моментальный ток
600mA
100mA
Частота
250MHz
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
-
Основной номер части
MMBT4401
FJY3011
Число контактов
3
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
150mW
200mW
Продуктивность полосы частот
250MHz
-
Полярность/Тип канала
NPN
-
Тип транзистора
NPN
NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
40V
300mV
Максимальный ток сбора
600mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 150mA 1V
100 @ 1mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
750mV @ 50mA, 500mA
300mV @ 1mA, 10mA
Частота перехода
250MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
40V
40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
-
Прямоходящий ток коллектора
600mA
100mA
Время выключения максимальное (toff)
255ns
-
Высота
750μm
-
Длина
1.6mm
-
Ширина
800μm
-
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Поставщик упаковки устройства
-
SOT-523F
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
100mA
Завершение
-
SMD/SMT
Максимальная рабочая температура
-
150°C
Минимальная температура работы
-
-55°C
Направленность
-
NPN
Мощность - Макс
-
200mW
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
40V
Частота - Переход
-
250MHz
База (R1)
-
22 kOhms