MMBT4401-7-F Альтернативные части: KST4401MTF

MMBT4401-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 12276

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
1.279808 ₽
1.24 ₽
500
0.941030 ₽
470.47 ₽
1000
0.784190 ₽
784.20 ₽
2000
0.719451 ₽
1,438.87 ₽
5000
0.672376 ₽
3,361.81 ₽
10000
0.625467 ₽
6,254.67 ₽
15000
0.604904 ₽
9,073.63 ₽
50000
0.594794 ₽
29,739.70 ₽

Цена за единицу: 1.279808 ₽

Итоговая цена: 1.24 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иMMBT4401-7-F	иKST4401MTF
Производитель:	Diodes Incorporated	ON Semiconductor
Описание:	TRANS NPN 40V 0.6A SMD SOT23-3	Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Срок поставки от производителя	19 Weeks	6 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Вес	7.994566mg	30mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	40V	40V
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	40	100
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	Automotive, AEC-Q101	-
Опубликовано	2012	2002
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	40V	40V
Максимальная потеря мощности	300mW	350mW
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-
Частота	250MHz	250MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	-
Основной номер части	MMBT4401	KST4401
Число контактов	3	-
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	310mW	350mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	250MHz	250MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	40V	40V
Максимальный ток сбора	600mA	600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	100 @ 150mA 1V	100 @ 150mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA	-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	750mV @ 50mA, 500mA	750mV @ 50mA, 500mA
Частота перехода	250MHz	250MHz
Максимальное напряжение разрушения	40V	40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	60V	60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6V	6V
Максимальная температура перехода (Тj)	150°C	-
Прямоходящий ток коллектора	600mA	-
Время выключения максимальное (toff)	255ns	255ns
Высота	1.1mm	970μm
Длина	3.05mm	2.9mm
Ширина	1.4mm	1.3mm
REACH SVHC	No SVHC	-
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Состояние жизненного цикла	-	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Конечная обработка контакта	-	Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура	-	150°C
Моментальный ток	-	600mA

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
MMBT4401	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23	Для сравнения
MMBT2222A	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 40V 1A SOT-23	Для сравнения
MMBT2222A-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 40V 0.6A SMD SOT23-3	Для сравнения
KST4401MTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения