MMBT4400 Альтернативные части: MMBT4401-7-F

MMBT4400ON Semiconductor

В наличии: 93000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
5.478654 ₽
5.49 ₽
500
4.028448 ₽
2,014.29 ₽
1000
3.357019 ₽
3,357.01 ₽
2000
3.079835 ₽
6,159.62 ₽
5000
2.878352 ₽
14,391.76 ₽
10000
2.677541 ₽
26,775.41 ₽
15000
2.589464 ₽
38,842.03 ₽
50000
2.546195 ₽
127,309.75 ₽

Цена за единицу: 5.478654 ₽

Итоговая цена: 5.49 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иMMBT4400	иMMBT4401-7-F
Производитель:	ON Semiconductor	Diodes Incorporated
Описание:	Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R	TRANS NPN 40V 0.6A SMD SOT23-3
Состояние жизненного цикла	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 19 hours ago)	-
Срок поставки от производителя	24 Weeks	19 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Вес	30mg	7.994566mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	40V	40V
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	50	40
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	1998	2012
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Obsolete	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	40V	40V
Максимальная потеря мощности	350mW	300mW
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Моментальный ток	600mA	-
Основной номер части	MMBT4400	MMBT4401
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	350mW	310mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Полярность/Тип канала	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	40V	40V
Максимальный ток сбора	600mA	600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	50 @ 150mA 10V	100 @ 150mA 1V
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	750mV @ 50mA, 500mA	750mV @ 50mA, 500mA
Максимальное напряжение разрушения	40V	40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	60V	60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6V	6V
Время выключения максимальное (toff)	255ns	255ns
Высота	930μm	1.1mm
Длина	2.9mm	3.05mm
Ширина	1.3mm	1.4mm
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Покрытие контактов	-	Tin
Серия	-	Automotive, AEC-Q101
Дополнительная Характеристика	-	HIGH RELIABILITY
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	260
Частота	-	250MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	40
Число контактов	-	3
Продуктивность полосы частот	-	250MHz
Ток - отсечка коллектора (макс)	-	100nA
Частота перехода	-	250MHz
Максимальная температура перехода (Тj)	-	150°C
Прямоходящий ток коллектора	-	600mA
REACH SVHC	-	No SVHC

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
MMBT4401-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 40V 0.6A SMD SOT23-3	Для сравнения
MMBT4401	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23	Для сравнения
MMBT2222A-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS NPN 40V 0.6A SMD SOT23-3	Для сравнения
KST4401MTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения