MMBT3904T-7-F Альтернативные части: FJY3009R

MMBT3904T-7-FDiodes Incorporated

  • MMBT3904T-7-FDiodes Incorporated
  • FJY3009RON Semiconductor

В наличии: 58321

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    1.925000 ₽

    1.92 ₽

  • 10

    1.816044 ₽

    18.13 ₽

  • 100

    1.713242 ₽

    171.29 ₽

  • 500

    1.616264 ₽

    808.10 ₽

  • 1000

    1.524780 ₽

    1,524.73 ₽

Цена за единицу: 1.925000 ₽

Итоговая цена: 1.92 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R
Trans Digital BJT NPN 40V 100mA 3-Pin SOT-523F T/R
Срок поставки от производителя
15 Weeks
-
Покрытие контактов
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-523
SC-89, SOT-490
Количество контактов
3
3
Вес
2.012816mg
-
Материал элемента транзистора
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
40V
40V
Количество элементов
1
-
Минимальная частота работы в герцах
100
100
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Серия
Automotive, AEC-Q101
-
Опубликовано
2007
-
Код JESD-609
e3
-
Безоловая кодировка
yes
-
Состояние изделия
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
Код ECCN
EAR99
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
40V
40V
Максимальная потеря мощности
150mW
200mW
Положение терминала
DUAL
-
Форма вывода
GULL WING
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
Моментальный ток
200mA
100mA
Частота
300MHz
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
-
Основной номер части
MMBT3904
FJY3009
Число контактов
3
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
150mW
200mW
Продуктивность полосы частот
300MHz
-
Полярность/Тип канала
NPN
-
Тип транзистора
NPN
NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
40V
40V
Максимальный ток сбора
200mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 10mA 1V
100 @ 1mA 5V
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 5mA, 50mA
300mV @ 1mA, 10mA
Частота перехода
300MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
40V
40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
-
Прямоходящий ток коллектора
200mA
100mA
Время выключения максимальное (toff)
250ns
-
Время включения максимальный (тон)
70ns
-
Высота
750μm
-
Длина
1.6mm
-
Ширина
800μm
-
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Максимальная рабочая температура
-
150°C
Минимальная температура работы
-
-55°C
Направленность
-
NPN
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
100nA ICBO
Частота - Переход
-
250MHz
База (R1)
-
4.7 k Ω