MMBT2222AT-7-FDiodes Incorporated
В наличии: 15086
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
4.797253 ₽
4.81 ₽
500
3.527418 ₽
1,763.74 ₽
1000
2.939464 ₽
2,939.42 ₽
2000
2.696827 ₽
5,393.68 ₽
5000
2.520385 ₽
12,601.92 ₽
10000
2.344519 ₽
23,445.19 ₽
15000
2.267473 ₽
34,012.09 ₽
50000
2.229574 ₽
111,478.71 ₽
Цена за единицу: 4.797253 ₽
Итоговая цена: 4.81 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS NPN 40V 0.6A SOT523 | TRANSISTOR, DIGITAL NPN SOT-523F |
Срок поставки от производителя | 19 Weeks | 2 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-523 | SC-89, SOT-490 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 2.012816mg | 30mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 40V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 75 | 56 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | Automotive, AEC-Q101 | - |
Опубликовано | 2007 | - |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 40V | 40V |
Максимальная потеря мощности | 150mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | FLAT |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - |
Моментальный ток | 600mA | 100mA |
Частота | 300MHz | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - |
Основной номер части | MMBT2222A | FJY3004 |
Число контактов | 3 | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 150mW | 200mW |
Продуктивность полосы частот | 300MHz | - |
Полярность/Тип канала | NPN | - |
Тип транзистора | NPN | NPN - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 40V | 50V |
Максимальный ток сбора | 600mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 100 @ 150mA 10V | 56 @ 5mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 10nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Частота перехода | 300MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 40V | 50V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 75V | 50V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6V | 10V |
Прямоходящий ток коллектора | 600mA | 100mA |
Время выключения максимальное (toff) | 285ns | - |
Высота | 750μm | - |
Длина | 1.6mm | - |
Ширина | 800μm | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) |
Завершение | - | SMD/SMT |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | -55°C |
Дополнительная Характеристика | - | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Код ТН ВЭД | - | 8541.29.00.95 |
Направленность | - | NPN |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Частота - Переход | - | 250MHz |
База (R1) | - | 47 k Ω |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | - | 47 k Ω |