MMBFJ176 Альтернативные части: MMBFJ270 ,MMBF4393LT3G

MMBFJ176ON Semiconductor

  • MMBFJ176ON Semiconductor
  • MMBFJ270ON Semiconductor
  • MMBF4393LT3GON Semiconductor

В наличии: 44208

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    69.080440 ₽

    69.09 ₽

  • 10

    65.170192 ₽

    651.65 ₽

  • 100

    61.481305 ₽

    6,148.08 ₽

  • 500

    58.001277 ₽

    29,000.69 ₽

  • 1000

    54.718132 ₽

    54,718.13 ₽

Цена за единицу: 69.080440 ₽

Итоговая цена: 69.09 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)
ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя
42 Weeks
42 Weeks
8 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
3
Вес
30mg
30mg
200.998119mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Пороговая напряжённость / В
30V
-
30V
Количество элементов
1
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2008
2006
2006
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Код ТН ВЭД
8541.21.00.95
8541.21.00.95
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-30V
-30V
-
Максимальная потеря мощности
225mW
225mW
225mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
25mA
-50mA
-
Основной номер части
MBFJ176
MBFJ270
MBF4393
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Режим работы
DEPLETION MODE
ENHANCEMENT MODE
DEPLETION MODE
Распад мощности
225mW
225mW
225mW
Тип ТРВ
P-Channel
P-Channel
N-Channel
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
SWITCHING
Напряжение стока-исток (Vdss)
30V
30V
-
Непрерывный ток стока (ID)
-25mA
-15mA
-
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
30V
30V
30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
JUNCTION
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JUNCTION
Сопротивление стока к истоку
250Ohm
-
-
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0)
2mA @ 15V
2mA @ 15V
5mA @ 15V
Ток-отсечка (VGS off) @ Id
1V @ 10nA
500mV @ 1nA
500mV @ 10nA
Сопротивление - RDS(на)
250Ohm
-
100Ohm
Высота
930μm
1.04mm
-
Длина
2.92mm
2.9mm
-
Ширина
1.3mm
1.3mm
-
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Конечная обработка контакта
-
-
Tin (Sn)
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
-
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
-
40
Число контактов
-
-
3
Квалификационный Статус
-
-
Not Qualified
Без галогенов
-
-
Halogen Free
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
-
-
14pF @ 15V
Сопротивление открытого канала-макс
-
-
100Ohm