MMBFJ176 Альтернативные части: MMBFJ175 ,MMBFJ270

MMBFJ176ON Semiconductor

  • MMBFJ176ON Semiconductor
  • MMBFJ175ON Semiconductor
  • MMBFJ270ON Semiconductor

В наличии: 44208

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    69.080440 ₽

    69.09 ₽

  • 10

    65.170192 ₽

    651.65 ₽

  • 100

    61.481305 ₽

    6,148.08 ₽

  • 500

    58.001277 ₽

    29,000.69 ₽

  • 1000

    54.718132 ₽

    54,718.13 ₽

Цена за единицу: 69.080440 ₽

Итоговая цена: 69.09 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)
LIFETIME (Last Updated: 3 days ago)
ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)
Срок поставки от производителя
42 Weeks
14 Weeks
42 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
3
Вес
30mg
30mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Пороговая напряжённость / В
30V
30V
-
Количество элементов
1
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2008
2008
2006
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Last Time Buy
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Код ТН ВЭД
8541.21.00.95
-
8541.21.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный
-30V
-30V
-30V
Максимальная потеря мощности
225mW
225mW
225mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
25mA
-50mA
-50mA
Основной номер части
MBFJ176
MBFJ175
MBFJ270
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Режим работы
DEPLETION MODE
DEPLETION MODE
ENHANCEMENT MODE
Распад мощности
225mW
225mW
225mW
Тип ТРВ
P-Channel
P-Channel
P-Channel
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
SWITCHING
Напряжение стока-исток (Vdss)
30V
30V
30V
Непрерывный ток стока (ID)
-25mA
33.5mA
-15mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
30V
30V
30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
JUNCTION
JUNCTION
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Сопротивление стока к истоку
250Ohm
125Ohm
-
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0)
2mA @ 15V
7mA @ 15V
2mA @ 15V
Ток-отсечка (VGS off) @ Id
1V @ 10nA
3V @ 10nA
500mV @ 1nA
Сопротивление - RDS(на)
250Ohm
125Ohm
-
Высота
930μm
-
1.04mm
Длина
2.92mm
-
2.9mm
Ширина
1.3mm
-
1.3mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free