MMBFJ176ON Semiconductor
В наличии: 44208
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
69.080440 ₽
69.09 ₽
10
65.170192 ₽
651.65 ₽
100
61.481305 ₽
6,148.08 ₽
500
58.001277 ₽
29,000.69 ₽
1000
54.718132 ₽
54,718.13 ₽
Цена за единицу: 69.080440 ₽
Итоговая цена: 69.09 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 | JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 | JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago) | LIFETIME (Last Updated: 3 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago) |
Срок поставки от производителя | 42 Weeks | 14 Weeks | 42 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Вес | 30mg | 30mg | 30mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Пороговая напряжённость / В | 30V | 30V | - |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2008 | 2008 | 2006 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Last Time Buy | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.95 | - | 8541.21.00.95 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -30V | -30V | -30V |
Максимальная потеря мощности | 225mW | 225mW | 225mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 25mA | -50mA | -50mA |
Основной номер части | MBFJ176 | MBFJ175 | MBFJ270 |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Режим работы | DEPLETION MODE | DEPLETION MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 225mW | 225mW | 225mW |
Тип ТРВ | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | 30V | 30V |
Непрерывный ток стока (ID) | -25mA | 33.5mA | -15mA |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 30V | 30V | 30V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | JUNCTION | JUNCTION | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Сопротивление стока к истоку | 250Ohm | 125Ohm | - |
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0) | 2mA @ 15V | 7mA @ 15V | 2mA @ 15V |
Ток-отсечка (VGS off) @ Id | 1V @ 10nA | 3V @ 10nA | 500mV @ 1nA |
Сопротивление - RDS(на) | 250Ohm | 125Ohm | - |
Высота | 930μm | - | 1.04mm |
Длина | 2.92mm | - | 2.9mm |
Ширина | 1.3mm | - | 1.3mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |