Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
MMBFJ113 Альтернативные части: PMBFJ110,215
MMBFJ113ON Semiconductor
В наличии: 5387
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
19.280220 ₽
19.23 ₽
10
18.188887 ₽
181.87 ₽
100
17.159327 ₽
1,715.93 ₽
500
16.188049 ₽
8,093.96 ₽
1000
15.271745 ₽
15,271.70 ₽
Цена за единицу: 19.280220 ₽
Итоговая цена: 19.23 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | JFET N-CH 35V 350MW SOT23 | JFET N-CH 25V 250MW SOT23 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago) | - |
Срок поставки от производителя | 42 Weeks | 8 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | - |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | - |
Вес | 30mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Пороговая напряжённость / В | -35V | - |
Количество элементов | 1 | 1 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2000 | 2001 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 35V | - |
Максимальная потеря мощности | 350mW | - |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 2mA | - |
Основной номер части | MBFJ113 | MBFJ110 |
Каналов количество | 1 | - |
Конфигурация элемента | Single | - |
Режим работы | DEPLETION MODE | DEPLETION MODE |
Распад мощности | 350mW | - |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 35V | - |
Непрерывный ток стока (ID) | 2mA | - |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | -35V | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | JUNCTION | JUNCTION |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | - |
Сопротивление стока к истоку | 100Ohm | - |
Обратная ёмкость-Макс (Crss) | 5 pF | 15 pF |
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0) | 2mA @ 15V | 10mA @ 15V |
Ток-отсечка (VGS off) @ Id | 500mV @ 1μA | 4V @ 1μA |
Сопротивление - RDS(на) | 100Ohm | 18Ohm |
Высота | 1.2mm | - |
Длина | 2.92mm | - |
Ширина | 1.3mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - |
Поверхностный монтаж | - | YES |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.95 |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 40 |
Число контактов | - | 3 |
Код JESD-30 | - | R-PDSO-G3 |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified |
Конфигурация | - | SINGLE |
Мощность - Макс | - | 250mW |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | - | 30pF @ 10V VGS |
Код JEDEC-95 | - | TO-236AB |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 18Ohm |
Минимальная напряжённость разрушения | - | 25V |
Максимальная потеря мощности (абс.) | - | 0.25W |
Теперь | - | 25V |
Транзисторы - JFET Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMBFJ112 | ON Semiconductor | Транзисторы - JFET | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | JFET N-CH 35V 0.35W SOT-23 | Для сравнения |
 | PMBFJ110,215 | NXP USA Inc. | Транзисторы - JFET | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | JFET N-CH 25V 250MW SOT23 | Для сравнения |
| MMBF4393 | ON Semiconductor | Транзисторы - JFET | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | JFET N-CH 30V 350MW SOT23 | Для сравнения |
| MMBFJ111 | ON Semiconductor | Транзисторы - JFET | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | JFET N-CH 35V 350MW SOT23 | Для сравнения |