MMBFJ108 Альтернативные части: PMBFJ175,215 ,MMBF5434

MMBFJ108ON Semiconductor

  • MMBFJ108ON Semiconductor
  • PMBFJ175,215NXP USA Inc.
  • MMBF5434ON Semiconductor

В наличии: 127627

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    25.316621 ₽

    25.27 ₽

  • 10

    23.883599 ₽

    238.87 ₽

  • 100

    22.531703 ₽

    2,253.16 ₽

  • 500

    21.256319 ₽

    10,628.16 ₽

  • 1000

    20.053132 ₽

    20,053.16 ₽

Цена за единицу: 25.316621 ₽

Итоговая цена: 25.27 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ108 N CHANNEL JFET, -25V, SUPERSOT-3
JFET P-CH 30V 0.3W SOT23
Trans JFET N-CH 3-Pin SuperSOT T/R
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя
24 Weeks
-
29 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
-
Монтаж
Surface Mount
-
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
-
3
Вес
30mg
-
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Пороговая напряжённость / В
-25V
-
-
Количество элементов
1
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2008
1997
2003
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
-
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный
25V
-
25V
Максимальная потеря мощности
350mW
-
350mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
80mA
-
30mA
Основной номер части
MBFJ108
MBFJ175
MBF5434
Конфигурация элемента
Single
-
Single
Режим работы
DEPLETION MODE
DEPLETION MODE
DEPLETION MODE
Распад мощности
350mW
-
350mW
Тип ТРВ
N-Channel
P-Channel
N-Channel
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
SWITCHING
Напряжение стока-исток (Vdss)
25V
-
25V
Непрерывный ток стока (ID)
80mA
-
30mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
-25V
-
-25V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
JUNCTION
JUNCTION
JUNCTION
Максимальная температура перехода (Тj)
150°C
-
150°C
Сопротивление стока к истоку
8Ohm
-
10Ohm
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0)
80mA @ 15V
7mA @ 15V
30mA @ 15V
Ток-отсечка (VGS off) @ Id
3V @ 10nA
3V @ 10nA
1V @ 3nA
Сопротивление - RDS(на)
8Ohm
125Ohm
-
Высота
1.22mm
-
1.12mm
REACH SVHC
No SVHC
-
-
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
-
Lead Free
Поверхностный монтаж
-
YES
-
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
Tin (Sn)
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.95
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
40
-
Число контактов
-
3
-
Код JESD-30
-
R-PDSO-G3
-
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
-
Конфигурация
-
SINGLE
-
Мощность - Макс
-
300mW
-
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
-
8pF @ 10V VGS
30pF @ 10V VGS
Сопротивление открытого канала-макс
-
125Ohm
-
Минимальная напряжённость разрушения
-
30V
-
Максимальная потеря мощности (абс.)
-
0.3W
-
Теперь
-
30V
-
Каналов количество
-
-
1
Длина
-
-
2.51mm
Ширина
-
-
1.4mm