MMBFJ108 Альтернативные части: MMBF5459 ,MMBFJ309

MMBFJ108ON Semiconductor

  • MMBFJ108ON Semiconductor
  • MMBF5459ON Semiconductor
  • MMBFJ309ON Semiconductor

В наличии: 127627

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    25.316621 ₽

    25.27 ₽

  • 10

    23.883599 ₽

    238.87 ₽

  • 100

    22.531703 ₽

    2,253.16 ₽

  • 500

    21.256319 ₽

    10,628.16 ₽

  • 1000

    20.053132 ₽

    20,053.16 ₽

Цена за единицу: 25.316621 ₽

Итоговая цена: 25.27 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ108 N CHANNEL JFET, -25V, SUPERSOT-3
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ309 N CHANNEL JFET, -25V, SOT-23
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 14 hours ago)
Срок поставки от производителя
24 Weeks
7 Weeks
6 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
-
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
3
Вес
30mg
30mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
-
Пороговая напряжённость / В
-25V
-25V
25V
Количество элементов
1
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2008
2000
2008
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный
25V
25V
25V
Максимальная потеря мощности
350mW
350mW
350mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
80mA
16mA
30mA
Основной номер части
MBFJ108
MBF5459
MMBFJ309
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Режим работы
DEPLETION MODE
DEPLETION MODE
DEPLETION MODE
Распад мощности
350mW
350mW
350mW
Тип ТРВ
N-Channel
N-Channel
-
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
AMPLIFIER
Напряжение стока-исток (Vdss)
25V
25V
25V
Непрерывный ток стока (ID)
80mA
16mA
30mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
-25V
-25V
-25V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
JUNCTION
JUNCTION
JUNCTION
Максимальная температура перехода (Тj)
150°C
-
-
Сопротивление стока к истоку
8Ohm
-
-
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0)
80mA @ 15V
4mA @ 15V
-
Ток-отсечка (VGS off) @ Id
3V @ 10nA
2V @ 10nA
-
Сопротивление - RDS(на)
8Ohm
-
-
Высота
1.22mm
930μm
930μm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.95
8541.21.00.95
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
-
7pF @ 15V
-
Длина
-
2.92mm
2.92mm
Ширина
-
1.3mm
1.3mm
Конечная обработка контакта
-
-
Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура
-
-
150°C
Минимальная температура работы
-
-
-55°C
Частота
-
-
450MHz
Ток - испытание
-
-
10mA
Тип транзистора
-
-
N-Channel JFET
Увеличение
-
-
12dB
Фактор шума
-
-
3dB
Напряжение - испытание
-
-
10V
Обратная ёмкость-Макс (Crss)
-
-
2.5 pF