MJD32CTM Альтернативные части: 2SB1316TL

MJD32CTMON Semiconductor

  • MJD32CTMON Semiconductor
  • 2SB1316TLROHM Semiconductor

В наличии: 1940

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Bipolar Transistors - BJT PNP 100V 1A Epitaxial
TRANS PNP DARL 100V 2A SOT-428
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
-
Срок поставки от производителя
6 Weeks
20 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов
3
3
Вес
260.37mg
-
Диэлектрический пробой напряжение
100V
100V
Количество элементов
1
2
Минимальная частота работы в герцах
10
1000
Рабочая температура
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2016
2004
Код JESD-609
e3
e2
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
Tin/Copper (Sn98Cu2)
Ток постоянного напряжения - номинальный
-100V
-100V
Максимальная потеря мощности
1.56W
10W
Моментальный ток
-1A
-2A
Частота
3MHz
-
Основной номер части
MJD32
2SB1316
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
1.56W
1W
Продуктивность полосы частот
3MHz
50MHz
Полярность/Тип канала
PNP
-
Тип транзистора
PNP
PNP - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
100V
100V
Максимальный ток сбора
3A
2A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
10 @ 3A 4V
1000 @ 1A 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)
50μA
10μA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
1.5V @ 1mA, 1A
Частота перехода
3MHz
50MHz
Максимальное напряжение разрушения
100V
100V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-100V
100V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-5V
8V
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
Copper, Tin
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Количество выводов
-
2
Завершение
-
SMD/SMT
Дополнительная Характеристика
-
BUILT-IN BIAS RESISTOR
Код ТН ВЭД
-
8541.29.00.75
Форма вывода
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
10
Число контактов
-
3
Код JESD-30
-
R-PSSO-G2
Направленность
-
PNP
Напряжение
-
100V
Текущий
-
2A
Сокетная связка
-
COLLECTOR
Применение транзистора
-
AMPLIFIER
Прямоходящий ток коллектора
-
-2A
Высота
-
2.3mm
Длина
-
6.5mm
Ширина
-
5.5mm
REACH SVHC
-
No SVHC