Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
MJD32C-13 Альтернативные части: KSH42CTM ,MJD32CTM
MJD32C-13Diodes Incorporated
В наличии: 5000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
21.967582 ₽
21.98 ₽
10
20.724135 ₽
207.28 ₽
100
19.551113 ₽
1,955.08 ₽
500
18.444382 ₽
9,222.25 ₽
1000
17.400398 ₽
17,400.41 ₽
Цена за единицу: 21.967582 ₽
Итоговая цена: 21.98 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS PNP 100V 3A TO252-3L | Trans GP BJT PNP 100V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | Bipolar Transistors - BJT PNP 100V 1A Epitaxial |
Срок поставки от производителя | 21 Weeks | 6 Weeks | 6 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 100V | 100V | 100V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 10 | 15 | 10 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | 150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2012 | 2016 | 2016 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 2 | 2 | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Тип | General Purpose | - | - |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Максимальная потеря мощности | 1.56W | 20W | 1.56W |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - | - |
Число контактов | 4 | - | - |
Код JESD-30 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Сокетная связка | COLLECTOR | - | - |
Мощность - Макс | 15W | 20W | - |
Применение транзистора | SWITCHING | AMPLIFIER | - |
Продуктивность полосы частот | 3MHz | 3MHz | 3MHz |
Тип транзистора | PNP | PNP | PNP |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 100V | 100V | 100V |
Максимальный ток сбора | 3A | 6A | 3A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 10 @ 3A 4V | 15 @ 3A 4V | 10 @ 3A 4V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 1μA | 10μA | 50μA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A | 1.5V @ 600mA, 6A | 1.2V @ 375mA, 3A |
Частота перехода | 3MHz | 3MHz | 3MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 100V | 100V | 100V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 100V | -100V | -100V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6V | -5V | -5V |
Высота | 2.4mm | - | - |
Длина | 6.8mm | - | - |
Ширина | 6.2mm | - | - |
REACH SVHC | No SVHC | - | - |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago) | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) |
Вес | - | 260.37mg | 260.37mg |
Частота | - | 3MHz | 3MHz |
Основной номер части | - | KSH42 | MJD32 |
Распад мощности | - | 1.75W | 1.56W |
Полярность/Тип канала | - | PNP | PNP |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | - | -100V |
Моментальный ток | - | - | -1A |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | TTA003,L1NQ(O | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRANS PNP 80V 3A PW-MOLD | Для сравнения |
 | KSH42CTM | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans GP BJT PNP 100V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | Для сравнения |
 | MJD32CTM | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Bipolar Transistors - BJT PNP 100V 1A Epitaxial | Для сравнения |
| 2SB1202T-TL-E | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans GP BJT PNP 50V 3A 3-Pin(2+Tab) TP-FA T/R | Для сравнения |