MJD32C-13 Альтернативные части: 2SB1202T-TL-E ,TTA003,L1NQ(O

MJD32C-13Diodes Incorporated

  • MJD32C-13Diodes Incorporated
  • 2SB1202T-TL-EON Semiconductor
  • TTA003,L1NQ(OToshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 5000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    21.967582 ₽

    21.98 ₽

  • 10

    20.724135 ₽

    207.28 ₽

  • 100

    19.551113 ₽

    1,955.08 ₽

  • 500

    18.444382 ₽

    9,222.25 ₽

  • 1000

    17.400398 ₽

    17,400.41 ₽

Цена за единицу: 21.967582 ₽

Итоговая цена: 21.98 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PNP 100V 3A TO252-3L
Trans GP BJT PNP 50V 3A 3-Pin(2+Tab) TP-FA T/R
TRANS PNP 80V 3A PW-MOLD
Срок поставки от производителя
21 Weeks
2 Weeks
18 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов
3
3
3
Материал элемента транзистора
SILICON
-
-
Диэлектрический пробой напряжение
100V
50V
80V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
10
-
-
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2012
2004
2014
Код JESD-609
e3
e6
-
Безоловая кодировка
yes
yes
-
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
2
-
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
-
Тип
General Purpose
-
-
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
-
Максимальная потеря мощности
1.56W
1W
10W
Форма вывода
GULL WING
-
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
NOT SPECIFIED
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
NOT SPECIFIED
-
Число контактов
4
3
-
Код JESD-30
R-PSSO-G2
-
-
Конфигурация элемента
Single
Single
-
Сокетная связка
COLLECTOR
-
-
Мощность - Макс
15W
-
-
Применение транзистора
SWITCHING
-
-
Продуктивность полосы частот
3MHz
150MHz
-
Тип транзистора
PNP
PNP
PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
100V
50V
80V
Максимальный ток сбора
3A
3A
3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
10 @ 3A 4V
200 @ 100mA 2V
100 @ 500mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)
1μA
1μA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
700mV @ 100mA, 2A
500mV @ 100mA, 1A
Частота перехода
3MHz
-
-
Максимальное напряжение разрушения
100V
-
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
100V
-60V
80V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
-6V
7V
Высота
2.4mm
2.3mm
-
Длина
6.8mm
6.5mm
-
Ширина
6.2mm
5.5mm
-
REACH SVHC
No SVHC
-
-
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
-
Состояние жизненного цикла
-
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
-
Код соответствия REACH
-
not_compliant
-
Частота
-
150MHz
100MHz
Основной номер части
-
2SB1202
-
Распад мощности
-
1W
10W
Полярность/Тип канала
-
PNP
-
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
-
3A