MCP14E4-E/SN Альтернативные части: MCP14E9-E/SN ,MCP14E5-E/SN

MCP14E4-E/SNMicrochip Technology

  • MCP14E4-E/SNMicrochip Technology
  • MCP14E9-E/SNMicrochip Technology
  • MCP14E5-E/SNMicrochip Technology

В наличии: 14424

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    204.346154 ₽

    204.40 ₽

  • 10

    192.779396 ₽

    1,927.75 ₽

  • 100

    181.867349 ₽

    18,186.68 ₽

  • 500

    171.572967 ₽

    85,786.54 ₽

  • 1000

    161.861291 ₽

    161,861.26 ₽

Цена за единицу: 204.346154 ₽

Итоговая цена: 204.40 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8SOIC
MICROCHIP - MCP14E9-E/SN - MOSFET DRIVER, SOIC-8
IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8SOIC
Срок поставки от производителя
9 Weeks
9 Weeks
9 Weeks
Монтаж
Surface Mount
-
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов
8
8
8
Настройка драйвера
Low-Side
Low-Side
Low-Side
Логическое напряжение-ниже-уровня, выше-уровня
0.8V 2.4V
0.8V 2.4V
0.8V 2.4V
Рабочая температура
-40°C~150°C TJ
-40°C~150°C TJ
-40°C~150°C TJ
Пакетирование
Tube
Tube
Tube
Опубликовано
2007
2006
2007
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
-
yes
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
8
8
8
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Matte Tin (Sn) - annealed
Matte Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности
665mW
699mW
665mW
Напряжение - Питание
4.5V~18V
4.5V~18V
4.5V~18V
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Количество функций
1
1
1
Напряжение питания
12V
12V
12V
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
40
Основной номер части
MCP14E4
MCP14E9
MCP14E5
Число контактов
8
8
8
Количество выходов
2
-
2
Выводной напряжение
17.975V
18V
17.975V
Максимальный выходной ток
4A
3A
4A
Номинальный ток питания
750μA
1.8mA
750μA
Распад мощности
665mW
-
665mW
Ток выпуска
4A
3A
4A
Максимальный текущий ток подачи
2mA
1.8mA
2mA
Задержка распространения
60 ns
65 ns
60 ns
Входной тип
Non-Inverting
Inverting
Inverting, Non-Inverting
Время задержки включения
60 ns
65 ns
60 ns
Время подъема
30ns
30ns
30ns
Время падения (тип)
30 ns
30 ns
30 ns
Время подъёма / падения (тип)
15ns 18ns
14ns 17ns
15ns 18ns
Тип интерфейсного микросхемы
PUSH-PULL BASED MOSFET DRIVER
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
PUSH-PULL BASED MOSFET DRIVER
Канальный тип
Independent
Independent
Independent
Время включения
0.07 μs
0.04 μs
0.07 μs
Моментальный пиковый лимит текущего выхода
4A
3A
4A
Вид входа
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Ток - Пиковый выход (Исток, Сток)
4A 4A
3A 3A
4A 4A
Верхний драйвер
NO
YES
NO
Время выключения
0.07 μs
0.04 μs
0.07 μs
Высота
1.25mm
1.25mm
1.25mm
Длина
4.9mm
4.9mm
4.9mm
Ширина
3.9mm
3.9mm
3.9mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Поверхностный монтаж
-
YES
-
Количество драйверов
-
2
-
Ток смещения входа
-
10μA
-
Ток входа
-
1μA
-