MCP14E4-E/SN Альтернативные части: MCP14E3-E/SN ,MIC4425BM

MCP14E4-E/SNMicrochip Technology

  • MCP14E4-E/SNMicrochip Technology
  • MCP14E3-E/SNMicrochip Technology
  • MIC4425BMMicrochip Technology

В наличии: 14424

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    204.346154 ₽

    204.40 ₽

  • 10

    192.779396 ₽

    1,927.75 ₽

  • 100

    181.867349 ₽

    18,186.68 ₽

  • 500

    171.572967 ₽

    85,786.54 ₽

  • 1000

    161.861291 ₽

    161,861.26 ₽

Цена за единицу: 204.346154 ₽

Итоговая цена: 204.40 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8SOIC
IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8SOIC
IC DRIVER MOSFET 3A DUAL 8-SOIC
Срок поставки от производителя
9 Weeks
9 Weeks
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
-
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов
8
8
-
Настройка драйвера
Low-Side
Low-Side
Low-Side
Логическое напряжение-ниже-уровня, выше-уровня
0.8V 2.4V
0.8V 2.4V
0.8V 2.4V
Рабочая температура
-40°C~150°C TJ
-40°C~150°C TJ
-40°C~150°C TJ
Пакетирование
Tube
Tube
Tube
Опубликовано
2007
2007
2005
Код JESD-609
e3
e3
-
Безоловая кодировка
yes
yes
-
Состояние изделия
Active
Active
Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
3 (168 Hours)
1 (Unlimited)
Количество выводов
8
8
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
-
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
-
Максимальная потеря мощности
665mW
665mW
-
Напряжение - Питание
4.5V~18V
4.5V~18V
4.5V~18V
Положение терминала
DUAL
DUAL
-
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
-
Количество функций
1
1
-
Напряжение питания
12V
12V
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
-
Основной номер части
MCP14E4
MCP14E3
MIC4425
Число контактов
8
8
-
Количество выходов
2
2
-
Выводной напряжение
17.975V
17.975V
-
Максимальный выходной ток
4A
4A
-
Номинальный ток питания
750μA
750μA
-
Распад мощности
665mW
665mW
-
Ток выпуска
4A
4A
-
Максимальный текущий ток подачи
2mA
2mA
-
Задержка распространения
60 ns
60 ns
-
Входной тип
Non-Inverting
Inverting
Inverting, Non-Inverting
Время задержки включения
60 ns
60 ns
-
Время подъема
30ns
30ns
-
Время падения (тип)
30 ns
30 ns
-
Время подъёма / падения (тип)
15ns 18ns
15ns 18ns
28ns 32ns
Тип интерфейсного микросхемы
PUSH-PULL BASED MOSFET DRIVER
PUSH-PULL BASED MOSFET DRIVER
-
Канальный тип
Independent
Independent
Independent
Время включения
0.07 μs
0.07 μs
-
Моментальный пиковый лимит текущего выхода
4A
4A
-
Вид входа
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
N-Channel, P-Channel MOSFET
Ток - Пиковый выход (Исток, Сток)
4A 4A
4A 4A
3A 3A
Верхний драйвер
NO
NO
-
Время выключения
0.07 μs
0.07 μs
-
Высота
1.25mm
1.4986mm
-
Длина
4.9mm
4.8768mm
-
Ширина
3.9mm
3.9116mm
-
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Non-RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
-
Ток смещения входа
-
10μA
-
Поставщик упаковки устройства
-
-
8-SOIC
Количество драйверов
-
-
2