MC34152DR2G Альтернативные части: MC33152DG

MC34152DR2GON Semiconductor

  • MC34152DR2GON Semiconductor
  • MC33152DGON Semiconductor

В наличии: 29700

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    85.657123 ₽

    85.61 ₽

  • 10

    80.808603 ₽

    808.10 ₽

  • 100

    76.234539 ₽

    7,623.46 ₽

  • 500

    71.919372 ₽

    35,959.64 ₽

  • 1000

    67.848464 ₽

    67,848.46 ₽

Цена за единицу: 85.657123 ₽

Итоговая цена: 85.61 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC
ON SEMICONDUCTOR MC33152DG Dual Power Driver, , 6.1V-18V Supply, 1.5A Out, 40ns Delay, SOIC-8
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Срок поставки от производителя
10 Weeks
12 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов
8
8
Настройка драйвера
Low-Side
Low-Side
Логическое напряжение-ниже-уровня, выше-уровня
0.8V 2.6V
0.8V 2.6V
Время отключения
90 ns
90 ns
Уровень применения
Commercial grade
-
Рабочая температура
0°C~150°C TJ
-40°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tube
Опубликовано
2005
2006
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
8
8
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности
560mW
560mW
Напряжение - Питание
6.1V~18V
6.1V~18V
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Количество функций
2
2
Напряжение питания
12V
12V
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
Основной номер части
MC34152
MC33152
Число контактов
8
8
Максимальный выходной ток
1.5A
1.5A
Входной напряжение питания
12V
12V
Номинальный ток питания
10.5mA
10.5mA
Распад мощности
560mW
560mW
Задержка распространения
55 ns
55 ns
Входной тип
Non-Inverting
Non-Inverting
Время задержки включения
90 ps
90 ps
Без галогенов
Halogen Free
Halogen Free
Время подъема
36ns
36ns
Время падения (тип)
32 ns
32 ns
Время подъёма / падения (тип)
36ns 32ns
36ns 32ns
Тип интерфейсного микросхемы
BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
Канальный тип
Independent
Independent
Количество драйверов
2
-
Моментальный пиковый лимит текущего выхода
1.5A
1.5A
Вид входа
N-Channel MOSFET
N-Channel MOSFET
Ток - Пиковый выход (Исток, Сток)
1.5A 1.5A
1.5A 1.5A
Верхний драйвер
YES
YES
Длина
4.9mm
5mm
Высота сидения (макс.)
1.75mm
-
Ширина
3.9mm
4mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Количество выходов
-
2
Выводной напряжение
-
11.2V
Ток выпуска
-
1.5A
Максимальная температура перехода (Тj)
-
150°C
Диапазон температур окружающей среды (высокий)
-
85°C
Высота
-
1.75mm