MB2S Альтернативные части: MB6S ,MB8S

MB2SON Semiconductor

  • MB2SON Semiconductor
  • MB6SON Semiconductor
  • MB8SON Semiconductor

В наличии: 3150

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    15.534478 ₽

    15.52 ₽

  • 10

    14.655165 ₽

    146.57 ₽

  • 100

    13.825632 ₽

    1,382.55 ₽

  • 500

    13.043049 ₽

    6,521.57 ₽

  • 1000

    12.304766 ₽

    12,304.81 ₽

Цена за единицу: 15.534478 ₽

Итоговая цена: 15.52 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
BRIDGE RECT 1P 200V 500MA 4SOIC
BRIDGE RECT 1P 600V 500MA 4SOIC
DIODE BRIDGE 0.5A 800V 4-SOIC
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя
12 Weeks
10 Weeks
12 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-269AA, 4-BESOP
TO-269AA, 4-BESOP
TO-269AA, 4-BESOP
Количество контактов
4
4
4
Поставщик упаковки устройства
4-SOIC
4-SOIC
4-SOIC
Вес
228mg
228mg
228mg
Количество элементов
1
1
1
Номинальное напряжение
10V
4V
50V
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2011
2011
2014
Допуск
10%
20%
5%
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Завершение
SMD/SMT
-
-
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
-55°C
Капацитивность
1μF
2.2μF
13pF
Ток постоянного напряжения - номинальный
200V
600V
800V
Максимальная потеря мощности
1.4W
-
1.4W
Моментальный ток
500mA
500mA
500mA
Основной номер части
MB2
MB6
MB8
Напряжение - Номинальное переменного тока
140V
-
-
Код корпуса (метрический)
2012
2012
1608
Код корпуса (имперский)
0805
0805
0603
Максимальный выходной ток
500mA
-
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Тип диода
Single Phase
Single Phase
Single Phase
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr
5μA @ 200V
5μA @ 600V
5μA @ 800V
Ток выпуска
500mA
500mA
500mA
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If
1V @ 500mA
1V @ 500mA
1V @ 500mA
Напряжённая мощность
500mA
500mA
500mA
Максимальный импульсный ток
35A
35A
35A
Ток - Средний прямоугольный
500mA
500mA
500mA
Напряжение включения
1V
1V
1V
Средний выпрямленный ток
500mA
500mA
500mA
Пиковая обратная токовая сила
5μA
5μA
5μA
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)
200V
600V
800V
Пиковый нерегулярный импульсный ток
35A
35A
35A
Максимальный передний импульсный ток (Ifsm)
35A
35A
35A
Напряжение - Пиковое обратное (Макс)
200V
600V
800V
Обратная напряжение (DC)
140V
-
560V
Высота
2.7mm
2.9mm
2.9mm
Длина
4.9mm
1.6002mm
1.6002mm
Ширина
4.2mm
4.2mm
4.2mm
Толщина
1.3462mm
558.8μm
508μm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
Tin
Tin
Пitched Lead
-
5.0038mm
-
Распад мощности
-
1.4W
-
Стиль вывода/основания
-
Straight
-
Максимальный обратный ток утечки
-
5μA
-
Обратная напряжение
-
600V
800V
Максимальная температура перехода (Тj)
-
150°C
150°C
Высота сидения (макс.)
-
8.001mm
-
Оценки
-
-
AEC-Q200