MB2S Альтернативные части: MB1S ,MB6S

MB2SON Semiconductor

В наличии: 3150

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
15.534478 ₽
15.52 ₽
10
14.655165 ₽
146.57 ₽
100
13.825632 ₽
1,382.55 ₽
500
13.043049 ₽
6,521.57 ₽
1000
12.304766 ₽
12,304.81 ₽

Цена за единицу: 15.534478 ₽

Итоговая цена: 15.52 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иMB2S	иMB1S	иMB6S
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	BRIDGE RECT 1P 200V 500MA 4SOIC	Diode Rectifier Bridge Single 100V 0.5A 4-Pin SOIC N T/R	BRIDGE RECT 1P 600V 500MA 4SOIC
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя	12 Weeks	12 Weeks	10 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-269AA, 4-BESOP	TO-269AA, 4-BESOP	TO-269AA, 4-BESOP
Количество контактов	4	4	4
Поставщик упаковки устройства	4-SOIC	4-SOIC	4-SOIC
Вес	228mg	228mg	228mg
Количество элементов	1	1	1
Номинальное напряжение	10V	16V	4V
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2011	2014	2011
Допуск	10%	10%	20%
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Завершение	SMD/SMT	SMD/SMT	-
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C	-55°C
Капацитивность	1μF	13pF	2.2μF
Ток постоянного напряжения - номинальный	200V	100V	600V
Максимальная потеря мощности	1.4W	1.4W	-
Моментальный ток	500mA	500mA	500mA
Основной номер части	MB2	MB1	MB6
Напряжение - Номинальное переменного тока	140V	-	-
Код корпуса (метрический)	2012	1608	2012
Код корпуса (имперский)	0805	0603	0805
Максимальный выходной ток	500mA	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Тип диода	Single Phase	Single Phase	Single Phase
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr	5μA @ 200V	5μA @ 100V	5μA @ 600V
Ток выпуска	500mA	500mA	500mA
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If	1V @ 500mA	1V @ 500mA	1V @ 500mA
Напряжённая мощность	500mA	500mA	500mA
Максимальный импульсный ток	35A	35A	35A
Ток - Средний прямоугольный	500mA	500mA	500mA
Напряжение включения	1V	1V	1V
Средний выпрямленный ток	500mA	500mA	500mA
Пиковая обратная токовая сила	5μA	5μA	5μA
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)	200V	100V	600V
Пиковый нерегулярный импульсный ток	35A	35A	35A
Максимальный передний импульсный ток (Ifsm)	35A	35A	35A
Напряжение - Пиковое обратное (Макс)	200V	100V	600V
Обратная напряжение (DC)	140V	-	-
Высота	2.7mm	2.9mm	2.9mm
Длина	4.9mm	3.2004mm	1.6002mm
Ширина	4.2mm	4.2mm	4.2mm
Толщина	1.3462mm	939.8μm	558.8μm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Покрытие контактов	-	Tin	Tin
Распад мощности	-	1.4W	1.4W
Максимальный обратный ток утечки	-	5μA	5μA
Обратная напряжение	-	100V	600V
Максимальная температура перехода (Тj)	-	150°C	150°C
Пitched Lead	-	-	5.0038mm
Стиль вывода/основания	-	-	Straight
Высота сидения (макс.)	-	-	8.001mm

Диоды - Мостовые Выпрямители Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
MB6S	ON Semiconductor	Диоды - Мостовые Выпрямители	TO-269AA, 4-BESOP	BRIDGE RECT 1P 600V 500MA 4SOIC	Для сравнения
MB8S	ON Semiconductor	Диоды - Мостовые Выпрямители	TO-269AA, 4-BESOP	DIODE BRIDGE 0.5A 800V 4-SOIC	Для сравнения
MB10S	ON Semiconductor	Диоды - Мостовые Выпрямители	TO-269AA, 4-BESOP	BRIDGE RECT 1P 1KV 500MA 4SOIC	Для сравнения
MB1S	ON Semiconductor	Диоды - Мостовые Выпрямители	TO-269AA, 4-BESOP	Diode Rectifier Bridge Single 100V 0.5A 4-Pin SOIC N T/R	Для сравнения