MB10S Альтернативные части: MB8S ,MB1S

MB10SON Semiconductor

В наличии: 300

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
30.786401 ₽
30.77 ₽
10
29.043777 ₽
290.38 ₽
100
27.399794 ₽
2,739.97 ₽
500
25.848860 ₽
12,924.45 ₽
1000
24.385714 ₽
24,385.71 ₽

Цена за единицу: 30.786401 ₽

Итоговая цена: 30.77 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иMB10S	иMB8S	иMB1S
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	BRIDGE RECT 1P 1KV 500MA 4SOIC	DIODE BRIDGE 0.5A 800V 4-SOIC	Diode Rectifier Bridge Single 100V 0.5A 4-Pin SOIC N T/R
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя	12 Weeks	12 Weeks	12 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-269AA, 4-BESOP	TO-269AA, 4-BESOP	TO-269AA, 4-BESOP
Количество контактов	4	4	4
Поставщик упаковки устройства	4-SOIC	4-SOIC	4-SOIC
Вес	228mg	228mg	228mg
Количество элементов	1	1	1
Номинальное напряжение	500V	50V	16V
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2013	2014	2014
Допуск	10%	5%	10%
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C	-55°C
Капацитивность	470pF	13pF	13pF
Максимальная потеря мощности	1.4W	1.4W	1.4W
Основной номер части	MB10	MB8	MB1
Код корпуса (метрический)	3216	1608	1608
Код корпуса (имперский)	1206	0603	0603
Пitched Lead	5.0038mm	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Тип диода	Single Phase	Single Phase	Single Phase
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr	5μA @ 1000V	5μA @ 800V	5μA @ 100V
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If	1V @ 500mA	1V @ 500mA	1V @ 500mA
Напряжённая мощность	800mA	500mA	500mA
Стиль вывода/основания	Formed Leads	-	-
Максимальный импульсный ток	35A	35A	35A
Ток - Средний прямоугольный	500mA	500mA	500mA
Напряжение включения	1V	1V	1V
Средний выпрямленный ток	500mA	500mA	500mA
Пиковая обратная токовая сила	500μA	5μA	5μA
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)	1kV	800V	100V
Пиковый нерегулярный импульсный ток	35A	35A	35A
Обратная напряжение	1kV	800V	100V
Максимальный передний импульсный ток (Ifsm)	35A	35A	35A
Напряжение - Пиковое обратное (Макс)	1kV	800V	100V
Максимальная температура перехода (Тj)	150°C	150°C	150°C
Обратная напряжение (DC)	1kV	560V	-
Высота	2.9mm	2.9mm	2.9mm
Высота сидения (макс.)	8.9916mm	-	-
Длина	4.95mm	1.6002mm	3.2004mm
Ширина	4.2mm	4.2mm	4.2mm
Толщина	990.6μm	508μm	939.8μm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	800V	100V
Моментальный ток	-	500mA	500mA
Ток выпуска	-	500mA	500mA
Оценки	-	AEC-Q200	-
Завершение	-	-	SMD/SMT
Распад мощности	-	-	1.4W
Максимальный обратный ток утечки	-	-	5μA

Диоды - Мостовые Выпрямители Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
MB6S	ON Semiconductor	Диоды - Мостовые Выпрямители	TO-269AA, 4-BESOP	BRIDGE RECT 1P 600V 500MA 4SOIC	Для сравнения
MB2S	ON Semiconductor	Диоды - Мостовые Выпрямители	TO-269AA, 4-BESOP	BRIDGE RECT 1P 200V 500MA 4SOIC	Для сравнения
MB8S	ON Semiconductor	Диоды - Мостовые Выпрямители	TO-269AA, 4-BESOP	DIODE BRIDGE 0.5A 800V 4-SOIC	Для сравнения
MB1S	ON Semiconductor	Диоды - Мостовые Выпрямители	TO-269AA, 4-BESOP	Diode Rectifier Bridge Single 100V 0.5A 4-Pin SOIC N T/R	Для сравнения