KST5550MTF Альтернативные части: MMBT5551-7-F ,MMBT5550

KST5550MTFON Semiconductor

  • KST5550MTFON Semiconductor
  • MMBT5551-7-FDiodes Incorporated
  • MMBT5550ON Semiconductor

В наличии: 9770

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin SOT-23
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
3
Вес
30mg
7.994566mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
140V
160V
140V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
60
30
60
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Код JESD-609
e3
e3
-
Безоловая кодировка
yes
yes
-
Состояние изделия
Obsolete
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
-
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
-
Максимальная рабочая температура
150°C
-
150°C
Ток постоянного напряжения - номинальный
140V
160V
140V
Максимальная потеря мощности
350mW
300mW
350mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
-
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
-
Моментальный ток
600mA
200mA
600mA
Частота
300MHz
300MHz
50MHz
Основной номер части
KST5550
MMBT5551
MMBT5550
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
350mW
300mW
350mW
Продуктивность полосы частот
300MHz
300MHz
50MHz
Полярность/Тип канала
NPN
NPN
-
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
140V
160V
140V
Максимальный ток сбора
600mA
600mA
600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
60 @ 10mA 5V
80 @ 10mA 5V
60 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
500nA ICBO
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
250mV @ 5mA, 50mA
200mV @ 5mA, 50mA
250mV @ 5mA, 50mA
Частота перехода
100MHz
100MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
140V
160V
140V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
160V
180V
160V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
6V
6V
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Срок поставки от производителя
-
13 Weeks
14 Weeks
Рабочая температура
-
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Серия
-
Automotive, AEC-Q101
-
Опубликовано
-
2008
2005
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
40
-
Число контактов
-
3
-
Применение транзистора
-
SWITCHING
-
Максимальная температура перехода (Тj)
-
150°C
-
Прямоходящий ток коллектора
-
200mA
-
Высота
-
1.1mm
930μm
Длина
-
3.05mm
2.92mm
Ширина
-
1.4mm
1.3mm
REACH SVHC
-
No SVHC
No SVHC
Поставщик упаковки устройства
-
-
SOT-23-3
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
-
600mA
Минимальная температура работы
-
-
-55°C
Направленность
-
-
NPN
Мощность - Макс
-
-
350mW
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
-
140V
Максимальная частота
-
-
50MHz
Частота - Переход
-
-
50MHz