KST5179MTFON Semiconductor
В наличии: 44666
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
5.889588 ₽
5.91 ₽
500
4.330577 ₽
2,165.25 ₽
1000
3.608777 ₽
3,608.79 ₽
2000
3.310865 ₽
6,621.70 ₽
5000
3.094231 ₽
15,471.15 ₽
10000
2.878352 ₽
28,783.52 ₽
15000
2.783750 ₽
41,756.32 ₽
50000
2.737212 ₽
136,860.58 ₽
Цена за единицу: 5.889588 ₽
Итоговая цена: 5.91 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | RF TRANS NPN 12V 900MHZ SOT23-3 | TRANS NPN 25V 350MW SOT23 | Trans GP BJT NPN 25V 0.05A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 12V | 25V | 25V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 25 | 60 | 60 |
Рабочая температура | 150°C TJ | - | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2008 | 2002 | 2008 |
Состояние изделия | Obsolete | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 12V | 25V | 25V |
Максимальная потеря мощности | 350mW | 350mW | 300mW |
Моментальный ток | 50mA | 4mA | 50mA |
Частота | 900MHz | 650MHz | 650MHz |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 350mW | 350mW | 300mW |
Продуктивность полосы частот | 900MHz | 650MHz | 650MHz |
Тип транзистора | NPN | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 12V | 25V | 25V |
Максимальный ток сбора | 50mA | 50mA | 50mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 25 @ 3mA 1V | 60 @ 4mA 10V | 60 @ 4mA 10V |
Увеличение | 15dB | - | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 20V | 30V | 30V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 2.5V | 3V | 3V |
Прямоходящий ток коллектора | 50mA | - | 50mA |
Шумовая фигура (дБ тип @ ф) | 4.5dB @ 200MHz | - | - |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | - |
Срок поставки от производителя | - | 13 Weeks | 15 Weeks |
Вес | - | 30mg | 7.994566mg |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Код JESD-609 | - | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | - | yes | yes |
Количество выводов | - | 3 | 3 |
Код ECCN | - | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C | - |
Положение терминала | - | DUAL | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Основной номер части | - | KST10 | MMBTH10 |
Выводная мощность | - | 350mW | - |
Полярность/Тип канала | - | NPN | NPN |
Частота перехода | - | 650MHz | 650MHz |
Максимальное напряжение разрушения | - | 25V | 25V |
Сопротивление базы-эмиттора макс | - | 0.7pF | 0.7pF |
Высота | - | 960μm | 1mm |
Длина | - | 2.9mm | 3.05mm |
Ширина | - | 1.3mm | 1.4mm |
REACH SVHC | - | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | No | No |
Дополнительная Характеристика | - | - | HIGH RELIABILITY |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | - | 40 |
Число контактов | - | - | 3 |
Применение транзистора | - | - | AMPLIFIER |