KST5179MTF Альтернативные части: KST10MTF ,MMBTH10-7-F

KST5179MTFON Semiconductor

  • KST5179MTFON Semiconductor
  • KST10MTFON Semiconductor
  • MMBTH10-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 44666

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    5.889588 ₽

    5.91 ₽

  • 500

    4.330577 ₽

    2,165.25 ₽

  • 1000

    3.608777 ₽

    3,608.79 ₽

  • 2000

    3.310865 ₽

    6,621.70 ₽

  • 5000

    3.094231 ₽

    15,471.15 ₽

  • 10000

    2.878352 ₽

    28,783.52 ₽

  • 15000

    2.783750 ₽

    41,756.32 ₽

  • 50000

    2.737212 ₽

    136,860.58 ₽

Цена за единицу: 5.889588 ₽

Итоговая цена: 5.91 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
RF TRANS NPN 12V 900MHZ SOT23-3
TRANS NPN 25V 350MW SOT23
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
12V
25V
25V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
25
60
60
Рабочая температура
150°C TJ
-
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2008
2002
2008
Состояние изделия
Obsolete
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Ток постоянного напряжения - номинальный
12V
25V
25V
Максимальная потеря мощности
350mW
350mW
300mW
Моментальный ток
50mA
4mA
50mA
Частота
900MHz
650MHz
650MHz
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
350mW
350mW
300mW
Продуктивность полосы частот
900MHz
650MHz
650MHz
Тип транзистора
NPN
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
12V
25V
25V
Максимальный ток сбора
50mA
50mA
50mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
25 @ 3mA 1V
60 @ 4mA 10V
60 @ 4mA 10V
Увеличение
15dB
-
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
20V
30V
30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
2.5V
3V
3V
Прямоходящий ток коллектора
50mA
-
50mA
Шумовая фигура (дБ тип @ ф)
4.5dB @ 200MHz
-
-
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
-
Срок поставки от производителя
-
13 Weeks
15 Weeks
Вес
-
30mg
7.994566mg
Материал элемента транзистора
-
SILICON
SILICON
Код JESD-609
-
e3
e3
Безоловая кодировка
-
yes
yes
Количество выводов
-
3
3
Код ECCN
-
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура
-
150°C
-
Положение терминала
-
DUAL
DUAL
Форма вывода
-
GULL WING
GULL WING
Основной номер части
-
KST10
MMBTH10
Выводная мощность
-
350mW
-
Полярность/Тип канала
-
NPN
NPN
Частота перехода
-
650MHz
650MHz
Максимальное напряжение разрушения
-
25V
25V
Сопротивление базы-эмиттора макс
-
0.7pF
0.7pF
Высота
-
960μm
1mm
Длина
-
2.9mm
3.05mm
Ширина
-
1.3mm
1.4mm
REACH SVHC
-
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
-
No
No
Дополнительная Характеристика
-
-
HIGH RELIABILITY
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
-
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
-
40
Число контактов
-
-
3
Применение транзистора
-
-
AMPLIFIER