KST4401MTF Альтернативные части: MMBT4401

KST4401MTFON Semiconductor

  • KST4401MTFON Semiconductor
  • MMBT4401ON Semiconductor

В наличии: 457808

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    5.478654 ₽

    5.49 ₽

  • 500

    4.028448 ₽

    2,014.29 ₽

  • 1000

    3.357019 ₽

    3,357.01 ₽

  • 2000

    3.079835 ₽

    6,159.62 ₽

  • 5000

    2.878352 ₽

    14,391.76 ₽

  • 10000

    2.677541 ₽

    26,775.41 ₽

  • 15000

    2.589464 ₽

    38,842.03 ₽

  • 50000

    2.546195 ₽

    127,309.75 ₽

Цена за единицу: 5.478654 ₽

Итоговая цена: 5.49 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя
6 Weeks
39 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
30mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
40V
40V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
100
100
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2002
2013
Код JESD-609
e3
-
Безоловая кодировка
yes
-
Состояние изделия
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
Код ECCN
EAR99
-
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
-
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
Ток постоянного напряжения - номинальный
40V
40V
Максимальная потеря мощности
350mW
350mW
Положение терминала
DUAL
-
Форма вывода
GULL WING
-
Моментальный ток
600mA
500mA
Частота
250MHz
250MHz
Основной номер части
KST4401
MMBT4401
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
350mW
350mW
Применение транзистора
SWITCHING
-
Продуктивность полосы частот
250MHz
250MHz
Полярность/Тип канала
NPN
-
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
40V
40V
Максимальный ток сбора
600mA
600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 150mA 1V
100 @ 150mA 1V
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
750mV @ 50mA, 500mA
750mV @ 50mA, 500mA
Частота перехода
250MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
40V
40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
60V
60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
6V
Время выключения максимальное (toff)
255ns
-
Высота
970μm
6.35mm
Длина
2.9mm
6.35mm
Ширина
1.3mm
6.35mm
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
Tin
Поставщик упаковки устройства
-
SOT-23-3
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
600mA
Время отключения
-
255 ns
Рабочая температура
-
-55°C~150°C TJ
Минимальная температура работы
-
-55°C
Направленность
-
NPN
Время задержки включения
-
35 ns
Мощность - Макс
-
350mW
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
40V
Максимальная частота
-
250MHz
Частота - Переход
-
250MHz
REACH SVHC
-
No SVHC