KSD471AYTA Альтернативные части: KSD471AGTA ,KSD471ACYTA

KSD471AYTAON Semiconductor

В наличии: 3989

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
12.112871 ₽
12.09 ₽
10
11.427253 ₽
114.29 ₽
100
10.780385 ₽
1,078.02 ₽
500
10.170179 ₽
5,085.03 ₽
1000
9.594505 ₽
9,594.51 ₽

Цена за единицу: 12.112871 ₽

Итоговая цена: 12.09 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иKSD471AYTA	иKSD471AGTA	иKSD471ACYTA
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor	Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor	Trans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin TO-92 Ammo
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Срок поставки от производителя	6 Weeks	6 Weeks	7 Weeks
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Количество контактов	3	3	3
Вес	240mg	240mg	240mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	30V	30V	30V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	120	120	120
Рабочая температура	150°C TJ	150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Box (TB)	Tape & Box (TB)	Tape & Box (TB)
Опубликовано	2007	2007	2007
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Obsolete	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	30V	30V
Максимальная потеря мощности	800mW	800mW	800mW
Положение терминала	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
Моментальный ток	1A	1A	1A
Частота	130MHz	130MHz	130MHz
Основной номер части	KSD471	KSD471	KSD471
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	800mW	800mW	800mW
Применение транзистора	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот	130MHz	130MHz	130MHz
Полярность/Тип канала	NPN	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN	NPN	NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	30V	30V	30V
Максимальный ток сбора	1A	1A	1A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	120 @ 100mA 1V	200 @ 100mA 1V	120 @ 100mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	500mV @ 100mA, 1A	500mV @ 100mA, 1A	500mV @ 100mA, 1A
Частота перехода	130MHz	130MHz	130MHz
Максимальное напряжение разрушения	30V	30V	30V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	40V	40V	40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V	5V
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Высота	-	-	5.33mm
Длина	-	-	5.2mm
Ширина	-	-	4.19mm

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
KSD471AGTA	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor	Для сравнения
KSD471ACYTA	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Trans GP BJT NPN 30V 1A 3-Pin TO-92 Ammo	Для сравнения
KSD471ACGTA	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor	Для сравнения