KSD471AYTAON Semiconductor
В наличии: 3989
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
12.112871 ₽
12.09 ₽
10
11.427253 ₽
114.29 ₽
100
10.780385 ₽
1,078.02 ₽
500
10.170179 ₽
5,085.03 ₽
1000
9.594505 ₽
9,594.51 ₽
Цена за единицу: 12.112871 ₽
Итоговая цена: 12.09 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago) |
Срок поставки от производителя | 6 Weeks | 8 Weeks | 6 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Вес | 240mg | 240mg | 240mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 30V | 30V | 30V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 120 | 120 | 120 |
Рабочая температура | 150°C TJ | 150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Box (TB) | Tape & Box (TB) | Tape & Box (TB) |
Опубликовано | 2007 | 2007 | 2007 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | 30V | 30V |
Максимальная потеря мощности | 800mW | 800mW | 800mW |
Положение терминала | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
Моментальный ток | 1A | 1A | 1A |
Частота | 130MHz | 130MHz | 130MHz |
Основной номер части | KSD471 | KSD471 | KSD471 |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 800mW | 800mW | 800mW |
Применение транзистора | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
Продуктивность полосы частот | 130MHz | 130MHz | 130MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 30V | 30V | 30V |
Максимальный ток сбора | 1A | 1A | 1A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 120 @ 100mA 1V | 200 @ 100mA 1V | 200 @ 100mA 1V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A | 500mV @ 100mA, 1A | 500mV @ 100mA, 1A |
Частота перехода | 130MHz | 130MHz | 130MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 30V | 30V | 30V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 40V | 40V | 40V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 5V | 5V |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |