KSC1674YBUON Semiconductor
В наличии: 56743
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
5.478654 ₽
5.49 ₽
500
4.028448 ₽
2,014.29 ₽
1000
3.357019 ₽
3,357.01 ₽
2000
3.079835 ₽
6,159.62 ₽
5000
2.878352 ₽
14,391.76 ₽
10000
2.677541 ₽
26,775.41 ₽
15000
2.589464 ₽
38,842.03 ₽
50000
2.546195 ₽
127,309.75 ₽
Цена за единицу: 5.478654 ₽
Итоговая цена: 5.49 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans GP BJT NPN 20V 0.02A 3-Pin TO-92 Bulk | RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 |
Состояние жизненного цикла | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago) | - |
Срок поставки от производителя | 2 Weeks | - |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 179mg | 178.2mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 20V | 20V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 40 | 40 |
Рабочая температура | 150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Bulk | Bulk |
Опубликовано | 2007 | 2007 |
Код JESD-609 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | - |
Код ECCN | EAR99 | - |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 20V | 20V |
Максимальная потеря мощности | 250mW | 250mW |
Положение терминала | BOTTOM | - |
Моментальный ток | 20mA | 20mA |
Частота | 600MHz | 600MHz |
Основной номер части | KSC1674 | KSC1674 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 250mW | 250mW |
Применение транзистора | AMPLIFIER | - |
Полярность/Тип канала | NPN | - |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 20V | 20V |
Максимальный ток сбора | 20mA | 20mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 120 @ 1mA 6V | 70 @ 1mA 6V |
Частота перехода | 600MHz | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 30V | 30V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 4V | 4V |
Прямоходящий ток коллектора | 20mA | 20mA |
Шумовая фигура (дБ тип @ ф) | 3dB ~ 5dB @ 100MHz | 3dB ~ 5dB @ 100MHz |
Высота | 4.58mm | - |
Длина | 4.58mm | - |
Ширина | 3.86mm | - |
Корпусировка на излучение | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Продуктивность полосы частот | - | 600MHz |