J113 Альтернативные части: J112-D27Z ,J111

J113ON Semiconductor

  • J113ON Semiconductor
  • J112-D27ZON Semiconductor
  • J111ON Semiconductor

В наличии: 774

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    13.475000 ₽

    13.46 ₽

  • 10

    12.712266 ₽

    127.06 ₽

  • 100

    11.992706 ₽

    1,199.31 ₽

  • 500

    11.313874 ₽

    5,656.87 ₽

  • 1000

    10.673462 ₽

    10,673.49 ₽

Цена за единицу: 13.475000 ₽

Итоговая цена: 13.46 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
JFET N-CH 35V 625MW TO92
JFET N-CH 35V 625MW TO92
JFET N-CH 35V 625MW TO92
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
Срок поставки от производителя
6 Weeks
6 Weeks
6 Weeks
Покрытие контактов
Copper, Silver, Tin
-
-
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Количество контактов
3
3
3
Поставщик упаковки устройства
TO-92-3
-
TO-92-3
Вес
201mg
201mg
201mg
Пороговая напряжённость / В
-35V
-
-35V
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Bulk
Tape & Reel (TR)
Bulk
Опубликовано
2006
2006
2006
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура
150°C
-
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-
-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный
35V
35V
35V
Максимальная потеря мощности
625mW
625mW
625mW
Моментальный ток
50mA
50mA
50mA
Основной номер части
J113
J112
J111
Каналов количество
1
-
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
625mW
625mW
625mW
Мощность - Макс
625mW
-
625mW
Тип ТРВ
N-Channel
N-Channel
N-Channel
Напряжение стока-исток (Vdss)
35V
35V
35V
Непрерывный ток стока (ID)
2mA
5mA
20mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
-35V
-35V
-35V
Максимальная температура перехода (Тj)
150°C
-
-
Сопротивление стока к истоку
100Ohm
50Ohm
30Ohm
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0)
2mA @ 15V
5mA @ 15V
20mA @ 15V
Ток-отсечка (VGS off) @ Id
500mV @ 1μA
1V @ 1μA
3V @ 1μA
Теперь
35V
-
35V
Сопротивление - RDS(на)
100Ohms
50Ohm
30Ohms
Высота
5.33mm
-
5.33mm
Длина
5.2mm
-
5.2mm
Ширина
4.19mm
-
4.19mm
REACH SVHC
No SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Материал элемента транзистора
-
SILICON
-
Количество элементов
-
1
-
Безоловая кодировка
-
yes
-
Количество выводов
-
3
-
Положение терминала
-
BOTTOM
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
NOT SPECIFIED
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
NOT SPECIFIED
-
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
-
Режим работы
-
DEPLETION MODE
-
Применение транзистора
-
SWITCHING
-
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
-
JUNCTION
-
Обратная ёмкость-Макс (Crss)
-
5 pF
-
Производитель идентификатор упаковки
-
-
TO-92 3L
Завершение
-
-
Through Hole