J111 Альтернативные части: J113 ,J112-D27Z

J111ON Semiconductor

  • J111ON Semiconductor
  • J113ON Semiconductor
  • J112-D27ZON Semiconductor

В наличии: 7574

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    42.215824 ₽

    42.17 ₽

  • 10

    39.826223 ₽

    398.21 ₽

  • 100

    37.571896 ₽

    3,757.14 ₽

  • 500

    35.445179 ₽

    17,722.53 ₽

  • 1000

    33.438860 ₽

    33,438.87 ₽

Цена за единицу: 42.215824 ₽

Итоговая цена: 42.17 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
JFET N-CH 35V 625MW TO92
JFET N-CH 35V 625MW TO92
JFET N-CH 35V 625MW TO92
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя
6 Weeks
6 Weeks
6 Weeks
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Количество контактов
3
3
3
Поставщик упаковки устройства
TO-92-3
TO-92-3
-
Вес
201mg
201mg
201mg
Производитель идентификатор упаковки
TO-92 3L
-
-
Пороговая напряжённость / В
-35V
-35V
-
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Bulk
Bulk
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2006
2006
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Завершение
Through Hole
-
-
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
35V
35V
35V
Максимальная потеря мощности
625mW
625mW
625mW
Моментальный ток
50mA
50mA
50mA
Основной номер части
J111
J113
J112
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
625mW
625mW
625mW
Мощность - Макс
625mW
625mW
-
Тип ТРВ
N-Channel
N-Channel
N-Channel
Напряжение стока-исток (Vdss)
35V
35V
35V
Непрерывный ток стока (ID)
20mA
2mA
5mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
-35V
-35V
-35V
Сопротивление стока к истоку
30Ohm
100Ohm
50Ohm
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0)
20mA @ 15V
2mA @ 15V
5mA @ 15V
Ток-отсечка (VGS off) @ Id
3V @ 1μA
500mV @ 1μA
1V @ 1μA
Теперь
35V
35V
-
Сопротивление - RDS(на)
30Ohms
100Ohms
50Ohm
Высота
5.33mm
5.33mm
-
Длина
5.2mm
5.2mm
-
Ширина
4.19mm
4.19mm
-
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
Copper, Silver, Tin
-
Каналов количество
-
1
-
Максимальная температура перехода (Тj)
-
150°C
-
Материал элемента транзистора
-
-
SILICON
Количество элементов
-
-
1
Безоловая кодировка
-
-
yes
Количество выводов
-
-
3
Положение терминала
-
-
BOTTOM
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
-
NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
-
NOT SPECIFIED
Квалификационный Статус
-
-
Not Qualified
Режим работы
-
-
DEPLETION MODE
Применение транзистора
-
-
SWITCHING
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
-
-
JUNCTION
Обратная ёмкость-Макс (Crss)
-
-
5 pF